具有硅化物的半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。

【技术实现步骤摘要】
201511021210

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：位于衬底上的第一鳍和第二鳍，所述第一鳍具有N型杂质，所述第二鳍具有P型杂质；第一栅电极，其与所述第一鳍交叉并且覆盖所述第一鳍的至少一个侧表面；第二栅电极，其与所述第二鳍交叉并且覆盖所述第二鳍的至少一个侧表面；第一源极/漏极区，其位于所述第一鳍上并且邻近于所述第一栅电极的侧表面；第二源极/漏极区，其位于所述第二鳍上并且邻近于所述第二栅电极的侧表面；刻蚀停止层，其包括位于所述第一源极/漏极区上的第一刻蚀停止层部分以及位于所述第二源极/漏极区上的第二刻蚀停止层部分；绝缘层，其位于所述刻蚀停止层上；第一插件，其穿过所述绝缘层和所述刻蚀停止层而连接至所述第一源极/漏极区；第一金属硅化物层，其位于所述第一源极/漏极区中并且与所述第一插件对齐；第二插件，其穿过所述绝缘层和所述刻蚀停止层而连接至所述第二源极/漏极区；以及第二金属硅化物层，其位于所述第二源极/漏极区中并且与所述第二插件对齐，所述第二金属硅化物层具有与所述第一金属硅化物层的材料不同的材料以及比所述第一金属硅化物层的厚度更小的厚度，所述第一源极/漏极区的上端处于比所述第一鳍的上端更高的水平面，并且所述第二源极/漏极区的上端处于比所述第二鳍的上端更高的水平面。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李炯宗，许伟华，刘庭均，李忠浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR