外延硅晶片的制造方法技术

利用具备基座(20)和加热环(30)的外延生长装置的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，将硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述基座(20)的外周部的表面位置(c)高，并将所述硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述加热环(30)的表面位置(a)低，且调整所述硅晶片(W)的表面位置(b)与所述加热环(30)的表面位置(a)的差(b-a)，来控制形成于所述硅晶片(W)的<110>取向的外周部的外延层的膜厚与形成于所述硅晶片(W)的<100>取向的外周部的外延层的膜厚的差。

【技术实现步骤摘要】


本专利技术涉及外延硅晶片的制造方法。

技术介绍

近年来，在MPU、闪存等高性能器件和MOSFET、IGBT等高性能功率器件中使用外延硅晶片。另一方面，随着器件的高集成化，为了半导体基板的高品质化，同时为了微细化图案的制作，高平坦化特别受到重视。
要求高平坦度的硅晶片的外延生长中，通过单片处理来实现膜厚均匀性的提高。另外，通过用隔板等控制外延生长用的气体的流动，可以进一步实现膜厚的均匀化。
但是，在硅晶片的外周部，由于晶体取向的差异所导致的外延层的生长速度的差异，产生外延层的形成膜厚的变化，难以实现在硅晶片外周部的外延层的膜厚的均匀化。作为其解决方法，公开了如下技术：对应于在半导体晶片的外周部的晶体取向的随着基座的水平旋转的周期性变化，使基座相对于其载置面在垂直方向周期性地上下运动(参照文献1：日本特开2014-67955号公报)。
另外，公开了如下基座，其具备载置有晶片的晶片载置部，以围着其边缘的状态设置的外周部，和设置于外周部的、控制在所载置的晶片的外周部的气相生长的速度的气相生长控制部(参照文献2：国际公开第2007/091本文档来自技高网...

【技术保护点】
外延硅晶片的制造方法，其为使用具备载置晶片的基座和在所述基座的外周留出间隔而配置的加热环的外延生长装置，在面取向为(100)面的硅晶片的表面形成外延层的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，将所述硅晶片的表面位置b设为比所述基座的外周部的表面位置c高，并将所述硅晶片的表面位置b设为比所述加热环的表面位置a低，且调整所述硅晶片的表面位置b与所述加热环的表面位置a的差(b‑a)，来控制形成于所述硅晶片的<110>取向的外周部的外延层的膜厚与形成于所述硅晶片的<100>取向的外周部的外延层的膜厚的差。

【技术特征摘要】
2014.12.25 JP 2014-2629301.外延硅晶片的制造方法，其为使用具备载置晶片的基座和在所述基座的外周留出间隔而配置的加热环的外延生长装置，在面取向为(100)面的硅晶片的表面形成外延层的外延硅晶片的制造方法，
其特征在于，将所述硅晶片的表面位置b设为比所述基座的外周部的表面位置c高，并将所述硅晶片的表面位置b设为比所述加热环的表面位置a低，且调整所述硅晶片的表面位置b与所述加热环的表面位置a的差(b-a)，来控制形成于所述硅晶片的<110>取向的外周部的外延层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：广濑健，辻雅之，木村文彦，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP