【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅单晶的制造方法。
技术介绍
1、以往，在通过直拉(czochralski)法从硅熔液提拉硅单晶的硅单晶的制造中，在硅单晶的提拉前使用真空泵将腔室内减压后，导入氩气等的非活性气体，使腔室内成为非活性气体环境。
2、此外，为了降低硅单晶的电阻值，对硅熔液添加了掺杂剂。作为能够实现硅单晶的低电阻率化的掺杂剂，已知有红磷、砷、锑等的挥发性掺杂剂。
3、另一方面，已知低电阻率的硅单晶在提拉途中容易发生位错(例如，参照文献1：日本特开2021-35907号公报)。
4、在硅单晶的提拉中发生了位错的情况下，需要使已经成长了的硅单晶再次熔融而再次进行提拉。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种硅单晶的制造方法，在通过直拉法从添加有挥发性掺杂剂的硅熔液提拉硅单晶的硅单晶的制造方法中，能够减少位错的发生。
2、本专利技术的硅单晶的制造方法是通过直拉法从贮存在容纳于腔室内的坩埚中、添加有挥发性掺杂剂的硅熔液提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，在前述硅单晶的提拉前，在前述腔室内的压力至少从大气压下降到80kpa的期间中，从前述腔室将气体排气时的减压速度es为以下的范围内：0kpa/min＜es≤4.2kpa/min。
3、在上述硅单晶的制造方法中，优选在前述腔室内的压力至少从大气压下降到80kpa的期间中，前述减压速度es为以下的范围内：2.0kpa/min≤es≤4.2kpa/min。
4、在上述硅单晶
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1.一种硅单晶的制造方法，通过直拉法从硅熔液提拉硅单晶，所述硅熔液贮存在容纳于腔室内的坩埚中且添加有挥发性掺杂剂，其特征在于，
2.如权利要求1所述的硅单晶的制造方法，其特征在于，
3.如权利要求1或2所述的硅单晶的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种硅单晶的制造方法，通过直拉法从硅熔液提拉硅单晶，所述硅熔液贮存在容纳于腔室内的坩埚中且添加有挥发性掺杂剂，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：小川福生，太田博征，小原隆，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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