【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种单晶硅的制造方法及硅晶片的制造方法。
技术介绍
1、在单晶硅的制造中，使用被称为切克劳斯基法(czochralski method，以下简称为“cz法”)的制造方法。在使用该cz法的制造方法中，当从外部施加水平磁场时，硅熔体在初期相对于磁场施加方向形成右旋涡流、左旋涡流中任一个状态。该涡流的方向为随机，进入晶体的氧浓度根据涡流方向及炉内环境而不同。为了得到具有稳定的氧浓度的单晶硅，控制提拉中的硅熔体的对流模式变得很重要。因此，对控制坩埚内的硅熔体的对流模式的手法进行了各种研究(例如，参考专利文献1)。
2、在专利文献1所记载的硅熔体的对流模式控制方法中，设定在从铅垂上方观察坩埚时与水平磁场中心的磁力线平行且通过硅熔体表面的中心的虚线，使用夹着该虚线的两侧的加热能力不同的加热部来加热硅熔体，并施加水平磁场，由此固定磁场正交截面中的对流的方向。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：国际公开第2019/167989号
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、即使在采用在专利文献1所记载的硅熔体的对流模式控制方法的情况下，实际上生产单晶硅时，由于炉内环境因炉内构件的经时劣化等而变化，因此有无法稳定地控制对流的可能性。因此，变得无法制造具有稳定的氧浓度的单晶硅，从单晶硅切下的硅晶片的品质也有降低的可能性。
3、本专利技术的目的在于提供能够稳定地控制硅熔体的对流方向，且能够制造具有稳
4、用于解决技术问题的方案
5、本专利技术为从使用加热装置加热的石英坩埚内的硅熔体提拉单晶硅的单晶硅制造方法，其特征在于，所述加热装置具备配置于所述石英坩埚的周围的发热部以及向所述发热部供给电力的电力供给部，在以从铅垂上方观察所述石英坩埚时通过所述石英坩埚的中心轴的水平磁场的中心磁力线将所述加热装置分割为第1加热区域以及第2加热区域时，所述电力供给部具备配置于所述第1加热区域的第1电力供给部、以及配置于所述第2加热区域的第2电力供给部，所述单晶硅制造方法具有：电阻值设定工序，设定作为所述第1电力供给部的电阻值的第1电阻值、以及作为所述第2电力供给部的电阻值的第2电阻值；硅熔体加热工序，在无磁场状态下加热所述石英坩埚内的所述硅熔体；水平磁场施加工序，对所述石英坩埚内的所述硅熔体施加水平磁场；以及提拉工序，从所述硅熔体提拉单晶硅，所述电阻值设定工序具有：测量工序，测量所述第1电阻值以及所述第2电阻值；判定工序，判定作为将所述第1电阻值以及所述第2电阻值之中的较高电阻值除以较低电阻值而得的值的电阻比是否为预先设定的判定值以上；以及调整工序，当所述判定工序判定所述电阻比小于所述判定值时，调整所述第1电阻值以及所述第2电阻值中的至少一者，当所述判定工序判定所述电阻比小于所述判定值时，执行所述调整工序以及所述测量工序之后，再次执行所述判定工序，当所述判定工序判定所述电阻比为所述判定值以上时，结束所述电阻值设定工序。
6、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选所述电阻值设定工序在每执行规定次数的所述提拉工序时进行。
7、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选所述规定次数为1次以上且50次以下。
8、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选所述判定值为1.2以上。
9、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选所述测量工序具备：第1测量工序，测量所述发热部以及所述电力供给部的合成电阻；第2测量工序，测量所述发热部的合成电阻；以及电阻值算出工序，根据所述被测量的各电阻值求出所述第1电阻值及所述第2电阻值。
10、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选如下：所述各电力供给部具有与所述发热部一体形成的端子、以及一端与所述端子连接且另一端连接到电源的电极，所述调整工序包括在所述端子与所述电极之间配置导电片而减小电力供给部的电阻值的电阻值降低工序。
11、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选如下：所述各电力供给部具有与所述发热部连接的端子、以及一端与所述端子连接且另一端连接到电源的电极，所述调整工序包括粗糙化所述端子与所述电极的接触面而增大电力供给部的电阻值的电阻值增大工序。
12、在本专利技术的单晶硅的制造方法中，优选如下：所述各电力供给部具有与所述发热部连接的端子、以及一端与所述端子连接且另一端连接到电源的电极，在所述端子与所述电极之间插入有板状电阻调整构件，所述调整工序通过使在所述第1电力供给部的所述端子与所述电极之间插入的所述电阻调整构件的件数或厚度尺寸、以及在所述第2电力供给部的所述端子与所述电极之间插入的所述电阻调整构件的件数或厚度尺寸有差异，进行电阻值的调整。
13、本专利技术的硅晶片的制造方法的特征在于从使用单晶硅的制造方法提拉的单晶硅中切出而制造硅晶片。
14、根据本专利技术，能够稳定地控制硅熔体的对流方向，能够制造具有稳定的氧浓度的单晶硅以及硅晶片。
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1.一种单晶硅的制造方法，其从使用加热装置加热的石英坩埚内的硅熔体提拉单晶硅，其中，
2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，
3.根据权利要求2所述的单晶硅的制造方法，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的单晶硅的制造方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶硅的制造方法，其中，
6.根据权利要求1至5中任一项所述的单晶硅的制造方法，其中，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的单晶硅的制造方法，其中，
8.根据权利要求1至7中任一项所述的单晶硅的制造方法，其中，
9.一种硅晶片的制造方法，其从使用权利要求1至8中任一项所述的单晶硅的制造方法提拉的单晶硅中切出而制造硅晶片。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种单晶硅的制造方法，其从使用加热装置加热的石英坩埚内的硅熔体提拉单晶硅，其中，
2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，
3.根据权利要求2所述的单晶硅的制造方法，其中，
4.根据权利要求1至3中任一项所述的单晶硅的制造方法，其中，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的单晶硅的制造方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉村涉，坂本英城，横山龙介，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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