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本发明的单晶硅的制造方法具有：电阻值设定工序(S2)，设定作为第1电力供给部的电阻值的第1电阻值以及作为第2电力供给部的电阻值的第2电阻值；硅熔体加热工序(S3)，在无磁场状态下加热石英坩埚内的硅熔体；水平磁场施加工序(S4)，对石英坩埚内...
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