【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、文献de 101 37 856a1公开了一种无坩埚悬浮区提拉工艺，其用于生产在至少200mm的长度上具有至少200mm的直径且在该长度的区域中无位错的硅单晶体，在悬浮区提拉期间在进料棒与单晶体之间形成有熔体颈部。
2、然而，出现对于经济合理的晶体提拉而言提拉速度太低的问题。
3、专利文献ep 2142686 a1公开了一种用于生产单晶体的工艺，该工艺通过以下方式进行，即引导多晶棒通过加热区域以便生成熔化(或熔融)区，向熔化区施加磁场，以及在熔化材料在单晶籽晶上凝固期间诱导单晶体生长。生长中的单晶体以顺时针和逆时针方式交替旋转。该工艺可用于生产具有均匀电特性的硅单晶体。同样，公开了一种用于实施该工艺的装置。虽然权利要求要求保护大于200mm的晶体，但没有具体地提供用于300mm的直径的工艺。
4、文献us2016 053 401aa公开了一种用于区熔炉的辅助加热装置和用于单晶棒的保温方法。辅助加热装置包括设置在区熔炉内的射频加热线圈下方的辅助加热器，该加热器由中空金属圆管卷绕而成。辅助加热器的卷绕起始端定位于上部，辅助加热装置的卷绕终止端定位于下部，并从两端分别引出上端部和下端部；并且在辅助加热器的内侧设置有中空圆柱形加热负载，在加热负载与辅助加热器之间设置有绝缘部分。本专利技术能够解决在高于6.5英寸的区域熔化硅单晶体的生长工艺中由热场的不均衡分布和过大的热应力所导致的单晶棒上的裂纹形成问题。
5、文献de 3 805 118 a1公开了一种感应加热线圈，其适合用于
6、本专利技术的目的在于提供一种工艺，该工艺允许借助于切克劳斯基(czochralski)提拉工艺生产单晶锭，其中掺杂剂的轴向变化最小。
7、同样，其目的在于提供对应的晶体块。
8、该目的通过权利要求中描述的工艺和产品来实现。
技术实现思路
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于生产硅单晶体的工艺，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺，其中，
3.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，
4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，
5.一种含有掺杂剂的硅锭块，
6.根据权利要求5所述的锭块，其中，
7.根据权利要求5所述的锭块，其中，
8.根据权利要求5所述的锭块，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于生产硅单晶体的工艺，包括：
2.根据权利要求1所述的工艺，其中，
3.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，
4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员：W·黑克尔，G·拉特尼克斯，A·扎特勒，M·舒罗沃福斯，J·韦尔布利斯，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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