在沉积室中制备具有由气相沉积的外延层的半导体晶圆的工艺制造技术

公开了一种在沉积室中制备包含气相外延层的半导体晶圆的工艺，包括通过对沉积室进行蚀刻从沉积室中去除在先前的涂布过程中沉积在沉积室中的材料；在蚀刻的沉积室中进行连续的涂布操作，每个所述涂布操作包括使机器人将衬底晶圆放置在具有圆形周边的基座上，其中机器人将衬底晶圆移动到放置位置处并将其放置在基座上，由于预先确定的纠偏参数，在放置位置处衬底晶圆的中心不位于基座的中心的上方；以及在衬底晶圆上沉积外延层以制备包含外延层的半导体晶圆，其特征在于对于由机器人移动到放置位置处的每个第一衬底晶圆，预先确定的纠偏参数的值对应于多个先前涂布的衬底晶圆的位置偏差的平均值，所述衬底晶圆为先前的室蚀刻操作之后首个待涂布的衬底晶圆

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在沉积室中制备具有由气相沉积的外延层的半导体晶圆的工艺


[0001]本专利技术涉及一种在沉积室中制备具有由气相沉积的外延层的半导体晶圆的工艺
。
电子部件的生产需要具有外延层的半导体晶圆
。
通常在采用单晶圆反应器形式的沉积室中沉积外延层
。
待涂布的衬底晶圆放置在基座上，使沉积气体在沉积温度下从该衬底晶圆上方通过沉积室，该衬底晶圆随基座旋转
。
[0002]具有外延层的半导体晶圆的一个质量标准是外延层厚度的均匀性，尤其是在半导体晶圆的边缘区域
。

技术介绍

[0003]WO2017102597A1
特别致力于改善具有外延层的半导体晶圆的边缘几何形状的问题
。
发现在沉积室中定期进行典型蚀刻
(
室蚀刻
)
以去除在先前涂布操作过程中沉积在沉积室中的材料之后，连续的后续涂布操作导致随后在该沉积室中制备的具有外延层的半导体晶圆的边缘滚降增加
。
[0004]JP2016213218A<br/>描述了一种制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种在沉积室中制备具有由气相沉积的外延层的半导体晶圆的工艺，其包括：通过所述沉积室的蚀刻，从所述沉积室中去除在先前的涂布操作过程中沉积在所述沉积室中的材料；在经过蚀刻的沉积室中连续进行涂布操作，所述涂布操作在每种情况下包括：由机器人将衬底晶圆放置在具有圆形周边的基座上，其中所述机器人将所述衬底晶圆移动到放置位置处并将其放置在所述基座上，纠偏规则使得在所述放置位置处所述衬底晶圆的中心不位于所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：