用于清洁半导体晶圆的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于清洁半导体晶圆的正面和背面的方法，以如下顺序包括：清洁半导体晶圆的正面，其以如下顺序包含：(1)利用水进行的预清洁步骤，使得当下一清洁步骤开始时正面仍然是润湿的，(2)第一清洁步骤，其用于利用臭氧水进行清洁，且随后为利用纯净水进行的冲洗步骤，(3)第二清洁步骤，其包含利用臭氧水进行的处理步骤，接着为利用含有HF的液体进行的处理步骤，(4)第三清洁步骤，其用于利用臭氧水进行清洁，且随后为利用纯净水进行的冲洗步骤，半导体晶圆的正面和背面的共同清洁，包含：第四清洁步骤，其包含利用臭氧水进行的处理步骤，接着为利用含有HF的液体进行的处理步骤，以及干燥步骤，其中半导体晶圆的两面均被干燥。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术提供一种清洗半导体晶圆的方法。

技术介绍

1、用作例如用于制造微电子部件的衬底的半导体晶圆(通常为硅晶圆)在已被抛光、涂覆(例如，通过外延沉积)或经受热处理(退火)步骤之后和/或在高温工艺步骤之前通过湿化学方法进行清洁。

2、清洁的目的在于尽可能地消除诸如铜的金属或有机物质以及附着到晶圆表面的颗粒对半导体晶圆造成的任何污染，例如，因为在部件的后续制造过程中，这种污染导致例如栅极氧化物的不均匀生长或多晶硅栅极的不均匀沉积的问题。

3、所采用的清洁方法包括单晶圆方法，其中半导体晶圆被设定为围绕其中心轴线快速旋转，同时首先利用一种或多种液体对其进行清洁，然后利用去离子水对其进行冲洗并干燥。液体被施加到旋转的半导体晶圆并通过离心力朝向晶圆边缘加速，导致液体在外部流出并在晶圆表面上形成大致毯状薄膜。在随后随着半导体晶圆的进一步旋转而干燥时，举例而言，通过添加降低液体膜的表面张力的蒸气(例如，异丙醇蒸气)，液体膜完全流出到外部。这种方法例如在us2004/0 103 915a1和ep 0905 747a1中进行了描述。

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【技术保护点】

1.一种用于清洁半导体晶圆的正面和背面的方法，以给定顺序包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二清洁步骤被重复多次。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三清洁步骤之后接着为其中所述半导体晶圆的正面被干燥的干燥步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第四清洁步骤被重复多次。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第四清洁步骤被重复超过三次。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于清洁半导体晶圆的正面和背面的方法，以给定顺序包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二清洁步骤被重复多次。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三清洁步骤之后...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·屈恩施泰特尔，D·布罗克，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：