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本发明涉及一种用于清洁半导体晶圆的正面和背面的方法，以如下顺序包括：清洁半导体晶圆的正面，其以如下顺序包含：(1)利用水进行的预清洁步骤，使得当下一清洁步骤开始时正面仍然是润湿的，(2)第一清洁步骤，其用于利用臭氧水进行清洁，且随后为利用纯...
该专利属于硅电子股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅电子股份公司授权不得商用。

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