【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的主题为用于生产单晶硅半导体晶圆的方法以及由单晶硅制成的半导体晶圆。诸如bcd类型(bipolar-cmos-dmos)的电子部件的某些电子部件的制造需要由单晶硅制成的半导体晶圆作为其基础材料，这些半导体晶圆以特定的机械鲁棒性作为其表征，尤其是在必须在相对高的温度下、在长时间段中进行的(机)加工步骤期间更是如此。此外，通常要求这种晶圆表现出预期的特性，诸如具有设想深度的洁净区(dz)，以及在半导体晶圆内部与dz毗邻且具有可发展成具有高峰值密度的bmd(体微缺陷)的籽粒的区域。洁净区(或称作无缺陷区)被理解为半导体晶圆的晶格中不含bmd的区域，并且在该区域中无法借助于热处理产生bmd。
技术介绍
1、在氩气下以超过1300℃的保持温度进行的rta处理将产生深度为几微米的相对平坦的dz，因为在这种条件下，氧在表面附近扩散出去。us 2012 0 001 301a1描述了这种rta处理以及导致半导体晶圆的机械鲁棒性减弱的氧损失。为了增强半导体晶圆的机械鲁棒性并促进bmd在内部的形成，半导体晶圆例如可以掺杂有氮。对于半导体晶圆的生产，...
【技术保护点】
1.一种用于生产单晶硅半导体晶圆的方法，按顺序包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其包括在氩气的第四气氛中、在不小于25秒且不超过35秒的时间段中、在不小于1130℃且不超过1145℃的第四温度范围内的温度下对所述半导体晶圆进行第四RTA处理。
3.一种单晶硅半导体晶圆，其具有前侧和后侧，由N区组成，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体晶圆，其中，所述后侧的近表面区域中的氮浓度低于所述前侧的近表面区域中的氮浓度。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的半导体晶圆，其包括：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于生产单晶硅半导体晶圆的方法，按顺序包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其包括在氩气的第四气氛中、在不小于25秒且不超过35秒的时间段中、在不小于1130℃且不超过1145℃的第四温度范围内的温度下对所述半导体晶圆进行第四rta处理。
【专利技术属性】
技术研发人员：T·米勒，M·博伊，M·格姆利希，G·基辛格，D·科特，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：
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