用于由半导体材料制成的圆柱形棒生产圆盘的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于由半导体材料制成的圆柱形棒生产圆盘的方法，该圆柱形棒具有轴线和在该棒的侧表面中且平行于该轴线的识别沟槽

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于由半导体材料制成的圆柱形棒生产圆盘的方法


[0001]本专利技术涉及一种用于由半导体材料的圆柱形锭料生产晶圆
(
或晶片
)
的方法，该方法包括借助于线切片从锭料切分出
(
或分离出
)
晶圆以及双面磨削所述晶圆
。

技术介绍

[0002]多种应用需要具有正面和背面的良好平面平行度的一致的晶圆，这些晶圆具有少量的晶体缺陷和结构缺陷
。
一个示例是用于微电子部件的图案化的单晶半导体材料的晶圆
。
半导体材料的一个示例是硅
。
这种晶圆通过从单晶硅的圆柱形工件
(
锭料
)
切分出而获得，并经受机械加工
。
该切分通过多线切片
(MWS)
以及借助于同时双盘磨削
(DDG)
的机械加工来完成
。
[0003]从例如
DE 10 2016 211 883 A1
或
DE 10 2013 219 468 A1...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于由半导体材料的圆柱形锭料生产晶圆的方法，所述圆柱形锭料具有轴线和在所述锭料的外表面中且平行于所述轴线的标引凹口，所述方法按照指定顺序包括
(a)
在存在切割剂的情况下，借助于多线切片从所述圆柱形锭料同时切分出多个晶圆；
(b)
在温度为
20℃
至
50℃
的蚀刻浴中利用碱性蚀刻剂对所述晶圆进行蚀刻并持续一停留时间，其中从所述晶圆中的每一个去除的材料小于初始晶圆厚度的
5/1000
；以及
(c)
借助于以环形磨料覆层作为工具的同时双盘磨削对所述晶圆进行磨削
。2.
如权利要求1所述的方法，其中，所述碱性蚀刻剂为溶解在所述蚀刻浴中的碱金属或非金属阳离子的氢氧化物
。3.
如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，所述碱性蚀刻剂包括氢氧化钾
(KOH)、
氢氧化钠
(NaOH)、
氢氧化铵
(NH4OH)
或四甲基氢氧化铵
(TMAH,N(CH3)4OH)
或这些化合物中的至少两种的混合物
。4.
如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述晶圆的所述停留时间为
0.5
分钟至
15
分钟
。5.
如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述蚀刻浴中的所述碱性蚀刻剂的浓度为以重量计
0.5
至
10
％，并且每个晶圆所去除的材料不超过
4.5
μ
m。6.
如权利要求4和权利要求5所述的方法，其中，所述温度为
25℃
至
40℃
，所述停留时间为1分钟至6分钟，并且所述蚀刻浴中的所述碱性蚀刻剂的浓度为以重量计2％至以重量计6％
。7.
如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述线切片作为浆料线切片...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：