【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热屏蔽体定位夹具、热屏蔽体定位方法及单晶硅的制造方法。
技术介绍
1、以往，已知制造单晶硅的单晶硅制造装置(例如，参照专利文献1：日本特开2022-083492号公报)。
2、在这样的单晶硅制造装置中配置有包围正在从坩埚内的硅融液提拉的单晶硅的热屏蔽体。例如，热屏蔽体的上端部由包围坩埚及热屏蔽体的保温筒支承。
3、单晶硅制造装置构成为，被线材或轴提拉的单晶硅的中心轴与腔的中心轴一致。并且，优选地，热屏蔽体配置成其中心轴与单晶硅的中心轴一致。这是因为，若热屏蔽体的中心轴与单晶硅的中心轴不一致，则有可能单晶硅在单晶硅与热屏蔽体之间流动的非活性气体的流量的不均而晃动、在单晶硅周围的热环境发生不均。
4、以往，作业者通过目测来确定热屏蔽体的配置位置，或利用量尺来确定热屏蔽体的配置位置，但根据这些方法无法容易地进行热屏蔽体的定位，此外，也有由于作业者而引起配置位置不均的可能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供能够容易且适当地进行热屏蔽体的水平方向的定位的热屏蔽体定位夹具、热屏蔽体定位方法及单晶硅的制造方法。
2、本专利技术的热屏蔽体定位夹具进行热屏蔽体的定位，前述热屏蔽体包围在腔内正在提拉的单晶硅，前述热屏蔽体定位夹具为，具备构成为相对于前述腔装卸自如的夹具主体，在前述夹具主体上设置有夹具用定位部和热屏蔽体用定位部，前述夹具用定位部进行前述夹具主体相对于前述腔的水平方向的定位，前述热屏蔽体用定位部进行前述热屏蔽体相对于前
3、在本专利技术的热屏蔽体定位夹具中，优选地，在前述夹具主体的铅垂方向侧的部位设置有多个前述热屏蔽体用定位部，多个前述热屏蔽体用定位部用于分别进行水平方向的大小互不相同的多种热屏蔽体的水平方向的定位，前述夹具主体以与定位对象的前述热屏蔽体对应的前述热屏蔽体用定位部与前述热屏蔽体的上侧对置的姿势装配于前述腔。
4、在本专利技术的热屏蔽体定位夹具中，优选地，在前述夹具主体的铅垂方向的一侧的部位设置有至少一个前述热屏蔽体用定位部，在前述夹具主体的铅垂方向的另一侧的部位设置有余下的前述热屏蔽体用定位部。
5、在本专利技术的热屏蔽体定位夹具中，优选地，前述夹具主体具备基部、从前述基部向互不相同的方向沿水平方向延伸的多个臂部，在前述多个臂部分别设置有前述夹具用定位部及前述热屏蔽体用定位部。
6、在本专利技术的热屏蔽体定位夹具中，优选地，在前述基部及前述多个臂部中的至少一个上设置有用于把持前述夹具主体的把持部。
7、在本专利技术的热屏蔽体定位夹具中，优选地，前述把持部由将设置有该把持部的部位贯通的贯通孔构成。
8、本专利技术的热屏蔽体定位方法是利用上述的热屏蔽体定位夹具进行热屏蔽体的定位的方法，前述热屏蔽体包围在腔内正在提拉的单晶硅，其中，将前述热屏蔽体临时配置于前述腔内，将由前述夹具用定位部进行的前述夹具主体相对于前述腔的水平方向的定位、由前述热屏蔽体用定位部进行的前述热屏蔽体相对于前述夹具主体的水平方向的定位同时进行，或在进行了某一方的定位后进行另一方的定位，使前述热屏蔽体定位夹具从前述腔及前述热屏蔽体离开。
9、本专利技术的单晶硅的制造方法利用上述的热屏蔽体定位方法，进行热屏蔽体的定位，前述热屏蔽体包围在腔内正在提拉的单晶硅，在前述腔内提拉单晶硅。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种热屏蔽体定位夹具，进行热屏蔽体的定位，前述热屏蔽体在腔内包围提拉中的单晶硅，前述热屏蔽体定位夹具的特征在于，
2.如权利要求1所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
3.如权利要求2所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
4.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
5.如权利要求4所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
6.如权利要求5所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
7.一种热屏蔽体定位方法，前述热屏蔽体定位方法是利用权利要求1所述的热屏蔽体定位夹具进行热屏蔽体的定位的方法，前述热屏蔽体在腔内包围提拉中的单晶硅，其特征在于，
8.一种单晶硅的制造方法，前述单晶硅的制造方法利用权利要求7所述的热屏蔽体定位方法，进行热屏蔽体的定位，前述热屏蔽体在腔内包围提拉中的单晶硅，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种热屏蔽体定位夹具，进行热屏蔽体的定位，前述热屏蔽体在腔内包围提拉中的单晶硅，前述热屏蔽体定位夹具的特征在于，
2.如权利要求1所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
3.如权利要求2所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
4.如权利要求1至权利要求3中的任一项所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
5.如权利要求4所述的热屏蔽体定位夹具，其特征在于，
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。