【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于在单晶提拉装置中的坩埚或加热器的冷却时回收从坩埚或加热器产生的粉尘且促进冷却的集尘冷却装置及集尘冷却方法。
技术介绍
1、作为单晶硅锭的代表性的制造方法能够列举切克劳斯基法(cz法)。cz法中使用图3所示那样的在洁净室内设置的硅单晶提拉装置1000。单晶的提拉中，石英坩埚116a所含的氧和硅融液反应而生成硅氧化物(siox)。该硅氧化物气化而在沿主腔110内的非活性气体的气流移动的过程中冷却并固化，附着于主腔110的内壁面、主腔110内的各部件(例如加热器124)的表面，其随着时间的经过而逐渐堆积。因此，单晶的提拉结束后，将硅单晶提拉装置1000解体而进行去除该附着物的清扫即解体清扫。此时，将主腔110和牵引腔111分离，使腔内空间向洁净室内环境开放(以下，将其称作“开炉”。)且清扫各种的被清扫零件。即，主腔110的内壁面的清扫、主腔110内的各部件(例如加热器124)的清扫在洁净室内环境下进行。由此，在洁净室内被清扫零件的周围，去除的附着物变为粉尘飞舞。
2、专利文献1中记载了用于防止该解体清扫时粉尘飞散...
【技术保护点】
1.一种集尘冷却装置，在借助单晶提拉装置完成锭的提拉后，在前述单晶提拉装置中的坩埚或位于前述坩埚的周围的加热器的冷却时，回收从前述坩埚或前述加热器产生的粉尘，且促进前述冷却，
2.如权利要求1所述的集尘冷却装置，其特征在于，
3.如权利要求1或2所述的集尘冷却装置，其特征在于，
4.如权利要求1或2所述的集尘冷却装置，其特征在于，
5.如权利要求1或2所述的集尘冷却装置，其特征在于，
6.一种集尘冷却方法，在借助单晶提拉装置完成锭的提拉后，在前述单晶提拉装置中的坩埚或位于前述坩埚的周围的加热器的冷却时，回收从...
【技术特征摘要】
1.一种集尘冷却装置，在借助单晶提拉装置完成锭的提拉后，在前述单晶提拉装置中的坩埚或位于前述坩埚的周围的加热器的冷却时，回收从前述坩埚或前述加热器产生的粉尘，且促进前述冷却，
2.如权利要求1所述的集尘冷却装置，其特征在于，
3.如权利要求1或2所述的集尘冷却装置，其特征在于，
4.如权利要求1或2所述的集尘冷却装置，其特征在于，
5.如权利要求1或2所述的集尘冷却装置，其特征在于，
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