【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别是涉及一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法。
技术介绍
1、在晶圆上制作器件，晶圆上主要分为器件图形区以及去边区或者留边区。器件图形区主要是制作器件的区域，位于晶圆中间位置，而去边区主要是在晶圆最外围的一周，为了方便晶圆在不同机台间流转而使机械手夹持及稳定晶圆以方便制作而留有的一圈空白区域，此区域不做任何与器件相关的图形。在某些产品线中，晶圆的图形区具有器件，有金属层、钝化层、聚酰亚胺的覆盖，而在去边区，晶圆的斜边及边缘洗边处，没有其他结构，外延层直接裸露。由于去边区硅外延裸露，如图1所示，镀金作业导致化学镀金作业后边缘受镀。由于受镀金属和硅外延直接接触，而受镀金属与外延材料之间粘附性不佳，导致镀金层极易剥落，如图2所示，包括晶圆侧面的受镀金属剥落现象已经晶圆正面去边区受镀金属剥离晶圆表面的情况，进一步影响产线的正面贴膜和减薄蒸金作业。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，降低晶圆化镀后去边区没有受镀金属剥离残留的情况。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，述晶圆包含图形区及去边区，所述去边区位于晶圆的边缘区域，将所述的图形区环绕包围；对所述的晶圆进行金属化镀，在所述的晶圆表面形成一层金属；化镀后对所述晶圆进行背面冲洗步骤，冲洗过程中药液回流到正面边缘，去除晶圆边缘的去边区的镀金残留。
3、进一步地，所述的图形区为晶圆上制作器件的区域；所述的
4、进一步地，所述的半导体衬底表面覆盖一层外延；所述的半导体衬底包含硅衬底、锗硅衬底、砷化镓衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底。
5、进一步地，所述的对所述晶圆进行背面冲洗步骤，是将化镀后的晶圆进行翻转，使原背面朝上，向所述的晶圆背面喷洒清洗液，所述清洗液沿晶圆侧边向下回流至晶圆的正面的去边区，并带走晶圆所述去边区的化镀金属。
6、进一步地，所述的对晶圆进行冲洗，冲洗的药液在常规的清洗液基础上改变清洗液成分；当清洗去除金材料时，使用王水；当去除镍材料时采用用醋酸或硝酸。
7、进一步地，晶圆上图形区为功率器件，化镀后还要进一步执行减薄作业，药液对背面的腐蚀不会造成不良影响。
8、本专利技术所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，晶圆化镀后将晶圆翻转后进行一次富含相应药液的清洗，去除晶圆去边区的化镀金属，减少后续去边区的化镀金属剥离污染晶圆的情况发生。
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1.一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述晶圆的正面包含图形区及去边区；所述去边区是位于晶圆的最外边沿的环形区域，将所述的图形区环绕包围；对所述的晶圆进行金属化镀，在所述的晶圆表面形成一层金属；化镀后对所述晶圆采用药液进行背面冲洗步骤，冲洗过程中药液沿晶圆边缘回流到正面边缘，去除晶圆边缘的去边区的镀金残留。
2.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的图形区为晶圆上制作器件的区域；所述的去边区为晶圆最外圈的留白区域，在晶圆在制作过程中各机台之间流转时供机械臂搬运晶圆或者机台固定晶圆所用。
3.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的半导体衬底表面覆盖一层外延；所述的半导体衬底包含硅衬底、锗硅衬底、砷化镓衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底。
4.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的对所述晶圆进行背面冲洗步骤，是将化镀后的晶圆进行翻转，使原背面朝上，向所述的晶圆背面喷洒清洗液，所述的药液沿晶圆侧边向下回流至晶圆的正面的去边区后脱离晶圆正面，并带走晶圆正面所述去边
5.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的对晶圆进行冲洗，冲洗的药液在常规的清洗液基础上改变清洗液成分；当清洗去除金材料时，使用王水；当去除镍材料时采用醋酸或硝酸。
6.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：若晶圆上图形区为功率器件，化镀后还要进一步执行减薄作业，药液对背面的腐蚀不会造成不良影响。
7.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的去边区没有其他结构，外延层直接裸露。
...【技术特征摘要】
1.一种防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述晶圆的正面包含图形区及去边区；所述去边区是位于晶圆的最外边沿的环形区域，将所述的图形区环绕包围；对所述的晶圆进行金属化镀，在所述的晶圆表面形成一层金属；化镀后对所述晶圆采用药液进行背面冲洗步骤，冲洗过程中药液沿晶圆边缘回流到正面边缘，去除晶圆边缘的去边区的镀金残留。
2.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的图形区为晶圆上制作器件的区域；所述的去边区为晶圆最外圈的留白区域，在晶圆在制作过程中各机台之间流转时供机械臂搬运晶圆或者机台固定晶圆所用。
3.如权利要求1所述的防止晶圆边缘化镀层剥落的方法，其特征在于：所述的半导体衬底表面覆盖一层外延；所述的半导体衬底包含硅衬底、锗硅衬底、砷化镓衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底。
4.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜树范，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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