【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、以往，作为高频设备用基板，使用soi(silicon oninsulator，绝缘体上硅)晶片。soi晶片具有在支承用晶片(例如硅单晶晶片)上依次形成有氧化硅(sio2)等氧化膜层和soi层(例如硅单晶)的结构。
2、制造soi晶片的方法的代表例之一有贴合法。贴合法是如下方法：在支承用晶片和活性层用晶片中的至少一者上形成氧化膜层，接着，将这些晶片隔着氧化膜层进行贴合后，在1200℃左右的高温下实施热处理，由此制造soi晶片。
3、然而，soi晶片存在容易因硅与氧化硅的体积差(sio2：2.7g/cm3、si：2.3g/cm3)等影响而产生翘曲的课题。
4、尤其是，与支承侧晶片的厚度为通常的725μm(的情况)的soi晶片相比，在制造支承侧晶片的厚度为400μm左右的薄soi晶片的情况下，氧化膜层对翘曲显著造成影响。
5、文献1(日本特开2011-71193号公报)中公开了soi晶片的制造方法，其能够控制支承用晶片与soi层之间的填埋氧化膜层的厚度与形成在支承用晶片的背侧的背面氧化膜层的厚度之间的厚度差等，降低在贴合热处理时产生的贴合界面的晶体缺陷，且降低晶片中产生的翘曲。
6、然而，文献1所公开的实施例中，填埋氧化膜层的厚度为3μm以上、背面氧化膜层的厚度为1μm以上的soi晶片成为对象，这些氧化膜层为1μm以下的soi晶片存在难以抑制翘曲的课题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供能够既将填埋氧
2、本专利技术的贴合soi晶片的特征在于，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成有soi层的贴合soi晶片中，前述支承用晶片的厚度为400±10μm，前述soi层的厚度为30±1μm，前述填埋氧化膜层和形成在前述支承用晶片的与前述填埋氧化膜层相反的一侧的背面氧化膜层的厚度分别为1.1μm以下，由前述背面氧化膜层的厚度减去前述填埋氧化膜层的厚度而得到的氧化膜厚度差为-0.3μm以上且1.0μm以下。
3、本专利技术的贴合soi晶片的特征在于，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成有soi层的贴合soi晶片中，前述支承用晶片的厚度为400±10μm，前述soi层的厚度为70±1μm，前述填埋氧化膜层和形成在前述支承用晶片的与前述填埋氧化膜层相反的一侧的背面氧化膜层的厚度分别为1.1μm以下，由前述背面氧化膜层的厚度减去前述填埋氧化膜层的厚度而得到的氧化膜厚度差为-0.3μm以上且1.0μm以下。
4、本专利技术的贴合soi晶片的特征在于，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成有soi层的贴合soi晶片中，在与前述填埋氧化膜层相反的一侧未形成氧化膜层的前述支承用晶片的厚度为400±10μm，
5、前述soi层的厚度为30±1μm，前述填埋氧化膜层的厚度大于0μm且为0.3μm以下。
6、本专利技术的贴合soi晶片的特征在于，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成有soi层的贴合soi晶片中，在与前述填埋氧化膜层相反的一侧未形成氧化膜层的前述支承用晶片的厚度为400±10μm，
7、前述soi层的厚度为70±1μm，前述填埋氧化膜层的厚度大于0μm且为0.3μm以下。
8、本专利技术的贴合soi晶片的制造方法的特征在于，所述贴合soi晶片在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成有soi层，在前述支承用晶片的与前述填埋氧化膜层相反的一侧形成有背面氧化膜层，所述制造方法包括：相关方程计算工序，计算由氧化膜厚度差与前述贴合soi晶片的翘曲量之间的一次函数形成的相关方程，所述氧化膜厚度差是由前述背面氧化膜层的厚度减去前述填埋氧化膜层的厚度而得到的；翘曲量设定工序，设定前述翘曲量的可接受范围；厚度差设定工序，根据前述相关方程和前述翘曲量的可接受范围，设定前述氧化膜厚度差的可接受范围；以及氧化膜层厚度设定工序，根据前述氧化膜厚度差的可接受范围，将前述填埋氧化膜层和前述背面氧化膜层的厚度分别以1.1μm以下的范围进行设定。
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1.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，
2.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片的上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，
3.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，
4.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，
5.贴合SOI晶片的制造方法，其中，所述贴合SOI晶片在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成SOI层，在所述支承用晶片的与所述填埋氧化膜层相反的一侧形成有背面氧化膜层，
【技术特征摘要】
1.贴合soi晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有soi层的贴合soi晶片中，
2.贴合soi晶片，其中，在支承用晶片的上隔着填埋氧化膜层形成有soi层的贴合soi晶片中，
3.贴合soi晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有soi层的贴合soi...
【专利技术属性】
技术研发人员：冈部秀光，森川靖之，岸川克成，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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