贴合SOI晶片和贴合SOI晶片的制造方法技术

提供贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，支承用晶片的厚度为400±10μm，SOI层的厚度为30±1μm，填埋氧化膜层和形成在支承用晶片的与填埋氧化膜层相反的一侧的背面氧化膜层的厚度分别为1μm以下，由背面氧化膜层的厚度减去填埋氧化膜层的厚度而得到的氧化膜厚度差为‑0.3μm以上且1.0μm以下。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、以往，作为高频设备用基板，使用soi(silicon oninsulator，绝缘体上硅)晶片。soi晶片具有在支承用晶片(例如硅单晶晶片)上依次形成有氧化硅(sio2)等氧化膜层和soi层(例如硅单晶)的结构。

2、制造soi晶片的方法的代表例之一有贴合法。贴合法是如下方法：在支承用晶片和活性层用晶片中的至少一者上形成氧化膜层，接着，将这些晶片隔着氧化膜层进行贴合后，在1200℃左右的高温下实施热处理，由此制造soi晶片。

3、然而，soi晶片存在容易因硅与氧化硅的体积差(sio2：2.7g/cm3、si：2.3g/cm3)等影响而产生翘曲的课题。

4、尤其是，与支承侧晶片的厚度为通常的725μm(的情况)的soi晶片相比，在制造支承侧晶片的厚度为400μm左右的薄soi晶片的情况下，氧化膜层对翘曲显著造成影响。

5、文献1(日本特开2011-71193号公报)中公开了soi晶片的制造方法，其能够控制支承用晶片与soi层之间的填埋氧化膜层的厚度与形成在支承用晶片的背侧的背面氧化膜层的厚度之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，

2.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片的上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，

3.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，

4.贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，

5.贴合SOI晶片的制造方法，其中，所述贴合SOI晶片在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层而形成SOI层，在所述支承用晶片的与所述填埋氧化膜层相反的一侧形成有背面氧化膜层，

【技术特征摘要】

1.贴合soi晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有soi层的贴合soi晶片中，

2.贴合soi晶片，其中，在支承用晶片的上隔着填埋氧化膜层形成有soi层的贴合soi晶片中，

3.贴合soi晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有soi层的贴合soi...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈部秀光，森川靖之，岸川克成，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：