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提供贴合SOI晶片，其中，在支承用晶片上隔着填埋氧化膜层形成有SOI层的贴合SOI晶片中，支承用晶片的厚度为400±10μm，SOI层的厚度为30±1μm，填埋氧化膜层和形成在支承用晶片的与填埋氧化膜层相反的一侧的背面氧化膜层的厚度分别为1...
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