半导体装置和制造该半导体装置的方法制造方法及图纸

公开了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括在衬底的第一区域上的第一晶体管，以及在衬底的第二区域上的第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极绝缘层，该第一栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第一半导体沟道层中的每一个上的第一界面绝缘层、第一下高κ电介质层和第一复合电介质层。第二晶体管包括第二栅极绝缘层，第二栅极绝缘层包括顺序地堆叠在第二半导体沟道层中的每一个上的第二界面绝缘层、第二下高κ电介质层、第二复合电介质层和第二上高κ电介质层。第一下高κ电介质层和第二下高κ电介质层包括第一金属元素，第二上高κ电介质层包括第二金属元素，并且第一复合电介质层和第二复合电介质层包括第一金属元素和第二金属元素两者。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法。

技术介绍

1、半导体装置包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)组成的集成电路。随着半导体装置的尺寸和设计规则逐渐减小，mosfet的按比例缩小也逐渐加速。随着mosfet尺寸的减小，诸如短沟道效应、寄生电容和截止状态泄漏电流的操作特性可能恶化。因此，正在研究在克服由于半导体装置的高集成度而导致的限制的同时形成具有更好的性能的半导体装置的各种方法。

技术实现思路

1、示例实施例提供具有改善的电特性的半导体装置

2、示例实施例提供制造具有改善的电特性的半导体装置的方法。

3、根据示例实施例，半导体装置包括衬底的第一区域上的第一晶体管和衬底的第二区域上的第二晶体管。第一晶体管包括：第一半导体沟道层，其在垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开并且堆叠在衬底的第一区域上；第一栅极绝缘层，其围绕第一半导体沟道层，并且包括第一界面绝缘层、包含第一金属元素的第一下高κ电介质层、以及包含第一金属元素和与第一金属元素不同的第二金属元素的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二栅极绝缘层具有比所述第一栅极绝缘层的厚度大的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二栅极绝缘层的厚度为或更小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属元素包括铪和锆中的至少一种，并且

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一下高κ电介质层和所述第二下高κ电介质层具有相同的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一下高κ电介质层和所述第二下高κ电介质层中的每一个的厚度在至的范围内。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二栅极绝缘层具有比所述第一栅极绝缘层的厚度大的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二栅极绝缘层的厚度为或更小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一金属元素包括铪和锆中的至少一种，并且

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一下高κ电介质层和所述第二下高κ电介质层具有相同的厚度。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一下高κ电介质层和所述第二下高κ电介质层中的每一个的厚度在至的范围内。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二金属元素包括铝、铪、锆和镧中的至少一种，并且

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一复合电介质层和所述第二复合电介质层中的每一个包括包含所述第一金属元素和所述第二金属元素的相同的氧化物。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述第一金属元素包括铪和锆中的至少一种，并且

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一复合电介质层和所述第二复合...

【专利技术属性】
技术研发人员：慎一揆，卢炫昊，洪祥现，金相溶，金亨俊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：