【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，并且可以适用于例如包括振荡电路的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、下面列出了公开的技术。
2、[专利文献1]日本特开平9-45906号专利
3、[专利文献2]日本特开2019-9345号专利
4、专利文献1公开了一种在形成源极区域和漏极区域之后形成袋区域的技术。
5、专利文献2公开了与包括振荡电路的半导体器件相关的技术。
技术实现思路
1、期望提高包括振荡电路的半导体器件的性能。
2、从本说明书和附图的描述中，其他目的和新颖特征将变得显而易见。
3、根据一个实施例，包括振荡电路的半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底中的多个第一misfet和形成在半导体衬底中的多个第二misfet。多个第一misfet中的每个第一misfet包括晕圈区域，并且多个第二misfet中的每个第二misfet不包括晕圈区域。多个第二misfet用作振荡电路中包括的晶体管对。
4、根据一个实施例，可以提高包括振荡电路的半导体器件的性能。
【技术保护点】
1.一种包括振荡电路的半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.一种包括振荡电路的半导体器件，其包括：
9.根据权利要求8的半导体器件，包括：
10.根据权利要求8的半导体器件，包括：
11.根据权利要求10所述的半导体器件，
12.根据权利要求10所述的半导体器件，
13.根据权利要求10所述的半导体器件，
14.根据权利要求13所述的半导体器件，
15.根据权利要求13所述的半导体器件，
16.一种制造包括振荡电路的半导体器件的方法，所述方法包括：
17.根据权利要求16所述的方法，
18.根据权利要求16所述的方法，
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20.根据权利要求16所述的方法，
...【技术特征摘要】
1.一种包括振荡电路的半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件，
7.根据权利要求1所述的半导体器件，
8.一种包括振荡电路的半导体器件，其包括：
9.根据权利要求8的半导体器件，包括：
10.根据权利要求8的半导体器件，包括：...
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