排放设备和包括该排放设备的衬底处理装置制造方法及图纸

一种衬底处理装置包括：衬底支撑结构，包括旋转头，衬底支撑结构被配置为支撑衬底并使衬底旋转；至少一个处理液回收容器，被配置为回收至少一种衬底处理液；以及排放设备，包括第一喷嘴和第二喷嘴，第一喷嘴被配置为将化学品排放到衬底上，并且第二喷嘴被配置为将去离子水排放到衬底上，其中，第一喷嘴包括在第一喷嘴的内表面上被配置为提供粗糙度的表面图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思的各个示例实施例涉及一种排放设备、包括该排放设备的衬底处理装置和/或操作该排放设备的方法。更具体地，本专利技术构思的一个或多个示例实施例涉及一种在清洁工艺中使用的排放设备和/或包括该排放设备的衬底处理装置等。

技术介绍

1、可以在半导体制造设施内连续地执行半导体制造工艺，并且制造工艺可以划分为预处理和后处理。半导体制造设施可以安装在半导体制造工厂(下文中称为“fab”)内以制造半导体。

2、预处理是指在晶片上形成电路图案以完成芯片的过程。预处理可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺、使用光掩模将光刻胶转移到薄膜上的光刻工艺、使用化学材料和/或反应气体选择性地去除不期望和/或不必要的部分以便在晶片上形成期望电路图案的蚀刻工艺、去除在蚀刻工艺之后剩余的光刻胶的灰化工艺、将离子注入到与电路图案连接的部分中以赋予电子元件的特性的离子注入工艺、去除晶片上的污染源的清洁工艺等。

3、后处理是指评估通过预处理制造的产品的性能的过程。后处理可以包括：检查每个晶片并确定晶片上的每个芯片是否正常操作、将芯片分类为良品和不良品的初级检查工艺；通本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的所述内表面的一部分上。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的与排放口相邻的端部上。

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案还在所述排放口的表面上。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案具有0.4至5的粗糙度值。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括不具有恒定形状的多个突起。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所...

【技术特征摘要】

1.一种衬底处理装置，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的所述内表面的一部分上。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的与排放口相邻的端部上。

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案还在所述排放口的表面上。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案具有0.4至5的粗糙度值。

6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括不具有恒定形状的多个突起。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括具有恒定形状的多个突起。

8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，每个所述突起包括第一倾斜表面和第二倾斜表面。

9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，

10.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，

11.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟翰，宋振旭，吴来泽，金芝镐，姜镐敬，孙光成，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：