【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思的各个示例实施例涉及一种排放设备、包括该排放设备的衬底处理装置和/或操作该排放设备的方法。更具体地，本专利技术构思的一个或多个示例实施例涉及一种在清洁工艺中使用的排放设备和/或包括该排放设备的衬底处理装置等。
技术介绍
1、可以在半导体制造设施内连续地执行半导体制造工艺，并且制造工艺可以划分为预处理和后处理。半导体制造设施可以安装在半导体制造工厂(下文中称为“fab”)内以制造半导体。
2、预处理是指在晶片上形成电路图案以完成芯片的过程。预处理可以包括在晶片上形成薄膜的沉积工艺、使用光掩模将光刻胶转移到薄膜上的光刻工艺、使用化学材料和/或反应气体选择性地去除不期望和/或不必要的部分以便在晶片上形成期望电路图案的蚀刻工艺、去除在蚀刻工艺之后剩余的光刻胶的灰化工艺、将离子注入到与电路图案连接的部分中以赋予电子元件的特性的离子注入工艺、去除晶片上的污染源的清洁工艺等。
3、后处理是指评估通过预处理制造的产品的性能的过程。后处理可以包括：检查每个晶片并确定晶片上的每个芯片是否正常操作、将芯片分类为良品和不良品的初级检查工艺；通过划片、管芯接合、布线接合、模塑、标记等来切割并分离每个芯片以形成产品的形状的封装工艺；通过电特性检查、老化检查等来最终检查产品的特性和可靠性的最终检查工艺等。
4、通过在清洁工艺中顺序地使用化学品和去离子水(diw)来去除残留在衬底上的异物，并最终通过干燥工艺去除衬底上的水分。
5、当去除衬底上的水分时，已经使用了将异丙醇(ipa)排放到衬底上以允许水
技术实现思路
1、本专利技术构思的各个示例实施例提供了一种排放设备和包括该排放设备的衬底处理装置，该排放设备包括喷嘴，该喷嘴能够通过具有在其内表面上形成的表面粗糙度来减少和/或防止化学品向下流动。
2、然而，本专利技术构思的示例实施例不限于本文所阐述的实施例。通过参考以下给出的本专利技术构思的示例实施例的详细描述，本专利技术构思的示例实施例的上述和其他方面对于本专利技术构思所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。
3、根据本专利技术构思的至少一个示例实施例，提供了一种衬底处理装置。该衬底处理装置包括：衬底支撑结构，包括旋转头，衬底支撑结构被配置为支撑衬底并使衬底旋转；至少一个处理液回收容器，被配置为回收至少一种衬底处理液；排放设备，包括第一喷嘴和第二喷嘴，第一喷嘴被配置为将化学品排放到衬底上；并且第二喷嘴被配置为将去离子水排放到衬底上，其中，第一喷嘴包括在第一喷嘴的内表面上提供粗糙度的表面图案。
4、根据本专利技术构思的至少一个示例实施例，提供了一种衬底处理装置。该衬底处理装置包括：排放设备，包括第一喷嘴和第二喷嘴，排放设备被配置为通过第一喷嘴和第二喷嘴将衬底处理液提供到衬底上，第一喷嘴被配置为将化学品排放到衬底上，并且第二喷嘴被配置为将去离子水排放到衬底上，并且第一喷嘴包括在第一喷嘴的内表面上被配置为提供表面粗糙度的表面图案，该表面图案在第一喷嘴的内表面的一部分上，并形成在第一喷嘴的与排放口相邻的端部处，或者形成在第一喷嘴的端部处并形成在排放口的表面上，并且表面图案具有0.4至5的粗糙度值。
5、根据本专利技术构思的至少一个示例实施例，提供了一种排放设备，该排放设备被配置为提供用于处理衬底的衬底处理液。该排放单元包括：第一喷嘴，被配置为将化学品排放到衬底上；第二喷嘴，被配置为将去离子水排放到衬底上；并且第一喷嘴包括在第一喷嘴的内表面上被配置为提供表面粗糙度的表面图案。
6、应当注意，本专利技术构思的一个或多个示例实施例的效果不限于上面所述的那些，并且根据以下描述，本专利技术构思的示例实施例的其他效果将变得显而易见。
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1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的所述内表面的一部分上。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的与排放口相邻的端部上。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案还在所述排放口的表面上。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案具有0.4至5的粗糙度值。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括不具有恒定形状的多个突起。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括具有恒定形状的多个突起。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，每个所述突起包括第一倾斜表面和第二倾斜表面。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，
10.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，
11.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，每个所述突起包括竖直表面和倾斜表面。
12.根据权利要求1所述的衬底处
13.根据权利要求1所述的衬底处理装置，还包括：
14.根据权利要求13所述的衬底处理装置，其中，所述第一喷嘴的内表面上的所述表面图案的粗糙度值大于所述第二喷嘴的内表面上的所述第二表面图案的粗糙度值。
15.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述化学品是表面张力低于水的表面张力的材料。
16.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述化学品是异丙醇IPA。
17.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述衬底处理装置还被配置为使用所述化学品干燥所述衬底。
18.一种衬底处理装置，包括：
19.一种排放设备，被配置为提供用于处理衬底的衬底处理液，所述排放设备包括：
20.根据权利要求19所述的排放设备，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的与排放口相邻的端部处，并且所述表面图案在所述排放口的表面上。
...【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，包括：
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的所述内表面的一部分上。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案在所述第一喷嘴的与排放口相邻的端部上。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案还在所述排放口的表面上。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案具有0.4至5的粗糙度值。
6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括不具有恒定形状的多个突起。
7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述表面图案包括具有恒定形状的多个突起。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中，每个所述突起包括第一倾斜表面和第二倾斜表面。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，
10.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，
11.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：金钟翰，宋振旭，吴来泽，金芝镐，姜镐敬，孙光成，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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