一种晶体层叠结构体制造方法、晶体层叠结构体、层叠结构体及半导体元件技术

本发明专利技术提供一种晶体层叠结构体制造方法、晶体层叠结构体、层叠结构体及半导体元件，其中晶体层叠结构体的制造方法包括：第一n型半导体层制作步骤，获得β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;系单晶的体晶体，对体晶体处理后形成半导体衬底层，半导体衬底层即为第一半导体层，第一半导体层电子载流子浓度＜1x10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;；第二n型半导体层制作步骤，在第一n型半导体层一侧的表面采用外延工艺形成Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;系半导体层作为第二n型半导体层，或者在第一n型半导体一侧的表面采用掺杂工艺形成的浓度改性层作为第二n型半导体层，第二n型半导体层电子载流子浓度≥1x10<supgt;18</supgt;cm<supgt;‑3</supgt;。本发明专利技术在有较高耐压需求，需要较厚的具有较低电子载流子浓度的Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;系半导体层的应用场景下具有较低成本的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，特别地，涉及一种晶体层叠结构体制造方法、晶体层叠结构体、层叠结构体及半导体元件。

技术介绍

1、半导体材料经过几十年的发展，从第一代的半导体材料锗和硅，到第二代的半导体材料砷化镓和磷化铟，再到第三代的半导体材料如碳化硅、氮化镓、氮化硼等，以及氧化物半导体材料包括氧化镓、氧化锌、氧化锡等。材料的发展，也让半导体的性能越来越优，半导体的尺寸越来越小。

2、已知有使用ga2o3材料的肖特基二极管的报道，相较于si材料的肖特基二极管，它有着更高的反向耐压能力。中国专利文献cn 103918082 b保护了一种氧化镓肖特基势垒二极管，其n型半导体层包含具有较低电子载流子浓度的第一半导体外延层(n-层)，以及比第一半导体外延层高的电子载流子浓度的第二半导体基板层(n+层)。

3、目前，受惯性思维的影响，本领域的技术人员都是采用外延法(mist-cvd、hvpe、mocvd、mbe等方法)在具有较高电子载流子浓度(≥1 x 1018cm-3)的ga2o3系半导体衬底上生长具有较低电子载流子浓度(＜1 x 1018cm-3)的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体层叠结构体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述晶体层叠结构体的制造方法，其特征在于：所述第一n型半导体层的厚度≥20um。

3.一种晶体层叠结构体，其特征在于：采用权利要求1或2所述制造方法制得。

4.一种层叠结构体，其特征在于：至少包含权利要求3所述晶体层叠结构体。

5.一种半导体元件，其特征在于：使用了权利要求3所述晶体层叠结构体。

6.根据权利要求5所述半导体元件，其特征在于：所述半导体元件为肖特基二极管。

7.根据权利要求5所述半导体元件，其特征在于：所述半导体元件为场效...

【技术特征摘要】

1.一种晶体层叠结构体的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述晶体层叠结构体的制造方法，其特征在于：所述第一n型半导体层的厚度≥20um。

3.一种晶体层叠结构体，其特征在于：采用权利要求1或2所述制造方法制得。

4.一种层叠结构体，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，尹向阳，薛勇，邓云，郭铭，
申请(专利权)人：广州华瑞升阳投资有限公司，
类型：发明
国别省市：