【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信和网络领域的屏显设备，将其芯片高度压缩，端面趋于屏幕的放大，至少对其逻辑、储存、功率至少之一所需空间电路集成于屏幕基板，实现一款芯片及芯片、屏幕合一器件。
技术介绍
1、由于芯片投影面积与其电路板面积相较占比小，相较屏幕面积更是占比小，而且企业、市场均集中目标在芯片体积的缩小和制成工艺纳米级的推进，但是芯片体积的缩小更多体现在其投影面积上，而非高度上，其电路叠加多达八十层，因此，相同制成设备及工艺所生产的同等数量级晶体管，排布一层电路芯片与排布八十层电路散热性更好，更容易实现晶体管功耗产生的热量扩散，实现对芯片的降温，从而反推芯片更大的运行速率，实现芯片由14纳米赶超7纳米运算性能；7纳米赶超5纳米运算性能；5纳米赶超3纳米运算性能，尤其晶体管一层铺设电路更是能提高芯片的良品率，并且实现可修复；还能实现以带料形式的半导体或导体材料经制成设备持续、高速的产出以导体或半导体晶圆为基板的晶体管、电路集成模块与显示屏或显示屏基板粘接或焊接而成的芯片、屏幕合一器件。
技术实现思路
1、1、 增加芯片的投影面积，实现低纳米制成工艺装载晶体管量赶超高纳米制成工艺装载晶体管量，从而实现低纳米制成工艺生产的芯片与高纳米制成工艺生产的芯片运行速率贴近，弥补制成设备纳米量级的缺憾。
2、2、 缩减芯片中电路叠加层为至少一层，提高成品率及可修复性。
3、3、 集成电路基板与屏幕基板均为独立基板或公用基板，所述两独立基板通过粘接、焊接、粘接、热焊、冷焊或真空吸附至少
4、本专利技术芯片高度的压缩，端面的扩增，直接表现在:单位体积内晶体管密度骤然减小，单位面积的发热量降低，堆叠散热得到有效消除，如7nm波芯片虽然功耗小，但是热密度也高，反而难以散热，形成极高的堆叠散热效应难以克服，进而导致其功率减小、功耗增加。
5、专利技术一、一款芯片，包括晶圆的氧化沉积层涂膜、曝光、显影、刻蚀及离子植入工艺实现晶体管电路的集成；晶粒刻蚀引线端与引脚连接，引脚另一端备用与屏幕主体或电源电路主板至少之一连接；晶粒外围封装绝缘体包裹层；在其晶圆电路集成后针测晶圆良品或晶粒封装后良品检测至少进行其一且至少一次确定良品；其特征在于:所述电路的集成为一层晶体管电路的搭建;所述刻蚀引线端于晶粒下端面边缘、上端面边缘或侧面壁至少之一位置;所述晶圆包括绝缘体、半导体硬质或柔性固体材料制成的几何体。
6、所述晶粒指植入晶体管电路至未封装之前的任一状态。
7、所述晶圆的电路的集成包括计算、存储、通信、感知、电源供给至少之一电路。
8、所述绝缘体包括有机高分子材料或无机高分子材料至少之一。
9、所述引线端与引脚连接包括粘接或焊接。
10、所述电路的集成还包括至少两层晶体管电路的搭建，晶粒下端面或上端面的边缘内侧任一位置刻蚀引线端。
11、所述绝缘体包括塑料、树脂、陶瓷、玻璃之一或至少之二合成物。
12、所述半导体包括单质半导体或化合物半导体至少之一。
13、所述单质或化合物至少包括硅基、碳基、锗基、镓基、铟基至少之一半导体。
14、所述单质至少包括硅、锗、石墨烯半导体。
15、所述化合物至少包括碳化硅、砷化镓、氮化嫁、磷化铟半导体至少之一。
16、所述晶圆还包括在其上端面、下端面至少之一面粘接、焊接、分子吸附或真空吸附至少之一工艺固定至少一片散热片。
17、所述一层或至少两层晶体管电路的搭建制程设备包括光刻机、粒子打印机或原子打印机之一。
18、所述一款芯片为军用或民用设备构建，至少包括对讲机、夜视仪、手机、平板电脑、电脑、穿戴设备、记载屏幕、车载的应用。
19、专利技术二、芯片、屏幕合一器件，包括芯片主体和屏幕主体，以及芯片主体与屏幕主体的连接体，其特征在于：芯片主体中的晶圆至少为一块或至少两块具间隙或无间隙拼接，其面积依据预设晶体管数量所需空间趋近屏幕主体基板边缘，由电路导通芯片、屏幕；所述晶圆与屏幕主体基板为公用基板，或者，晶圆与屏幕主体基板经粘接、焊接、分子吸附或真空吸附至少之一连接；所述公用基板为：基板一侧敷设屏幕显像组建，另一侧敷设氧化沉积层涂膜、曝光、显影、刻蚀及离子植入工艺实现晶体管电路的集成；晶粒刻蚀引线端与引脚连接，引脚另一端备用与屏幕主体或电源电路主板至少之一连接；晶粒外围封装绝缘体包裹层，在其晶圆电路集成后针测晶圆良品或晶粒封装后良品检测至少进行其一且至少一次确定良品；其特征在于:所述电路的集成为一层电路的搭建;所述刻蚀引线端于晶粒下端面边缘、上端面边缘或侧面壁至少之一位置;所述晶圆包括绝缘体、半导体硬质或柔性固体材料制成的几何体;所述屏幕显像组件包括：盖板玻璃、触摸屏、显示屏、触控模组及基板;所述盖板玻璃为屏幕最外层组建，作用在于保护内部结构;或者还包括盖板玻璃附加保护膜;所述触摸屏是外屏，作用在于触摸、操作;所述显示屏是内屏，作用在于显示画面、文字;所述触控模组作用在于实现触控感应，实施人机交互体验；所述显示屏的屏幕显像为电容式或电阻式至少之一屏幕，或者还兼具触控模组实现人机交换功能;触摸感应层下依次设前面板、屏幕主体基板；所述面板作用在于安装滤光片，生成图像；所述屏幕主体基板作用在于布设薄膜晶体管。
20、所述屏幕显像至少包括lcd或oled之一。
21、所述电路的集成包括计算、存储、通信、感知、电源供给至少之一电路。
22、所述绝缘体包括有机高分子材料或无机高分子材料至少之一。
23、所述引线端与引脚连接包括粘接或焊接。
24、所述屏幕显像至少包括tft、tfd、ufb、stn、lcd、amoled、ips、slcd、asv之一。
25、所述晶圆的晶体管电路的集成还包括至少两层晶体管电路的搭建，晶粒下端面或上端面的边缘内侧任一位置刻蚀引线端。
26、所述绝缘体包括塑料、树脂、陶瓷、玻璃之一或至少之二合成物。
27、所述半导体材料包括单质半导体或化合物半导体至少之一。
28、所述单质或化合物至少包括硅基、碳基、锗基、镓基、铟基至少之一半导体。
29、所述单质至少包括硅、锗、石墨烯半导体。
30、所述化合物至少包括碳化硅、砷化镓、氮化嫁、磷化铟半导体至少之一。
31、所述晶圆还包括在其上端面、下端面至少之一面粘接、热焊、冷焊或真空吸附至少之一工艺固定至少一片散热片。
32、所述一层或至少两层晶体管电路的搭建制程设备包括光刻机、粒子打印机或原子打印机之一。
33、所述一款芯片为军用或民用设备构建，至少包括对讲机、夜视仪、手机、平板电脑、电脑、穿戴设备、记载屏幕、车载的应用。
34、专利技术一专利技术二的贡献之一在于:晶圆的电路的集成层数搭建的布设原则遵循首选端面的拓展，再选高度(本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一款芯片，包括晶圆的氧化沉积层涂膜、曝光、显影、刻蚀及离子植入工艺实现晶体管电路的集成；晶粒刻蚀引线端与引脚连接，引脚另一端备用与屏幕主体或电源电路主板至少之一连接；晶粒外围封装绝缘体包裹层；在其晶圆电路集成后针测晶圆良品或晶粒封装后良品检测至少进行其一且至少一次确定良品；其特征在于:所述晶体管电路的集成为一层晶体管电路的搭建;所述刻蚀引线端于晶粒下端面边缘、上端面边缘或侧面壁至少之一位置;所述晶圆包括绝缘体、半导体硬质或柔性固体材料制成的几何体。
2.根据权利要求1所述的一款芯片，其特征在于，所述晶圆的晶体管电路的集成包括计算、存储、通信、感知、电源供给至少之一电路；所述绝缘体包括有机高分子材料或无机高分子材料至少之一;所述连接包括粘接或焊接。
3.根据权利要求1、2任一所述的一款芯片，其特征在于，所述晶体管电路的集成还包括至少两层晶体管电路的搭建，晶粒下端面或上端面的边缘内侧任一位置刻蚀引线端；所述绝缘体包括塑料、树脂、陶瓷、玻璃之一或至少之二合成物；所述半导体包括单质半导体或化合物半导体至少之一。
4.根据权利要求3所述的一款芯片，其
5.根据权利要求1、2、3、4任一所述的一款芯片，其特征在于，所述晶圆还包括在其上端面、下端面至少之一面粘接、焊接、分子吸附或真空吸附至少之一工艺固定至少一片散热片；
6.芯片、屏幕合一器件包括芯片主体和屏幕主体，以及芯片主体与屏幕主体的连接体，其特征在于：芯片主体中的晶圆至少为一块或至少两块具间隙或无间隙拼接，其面积依据预设晶体管数量所需空间趋近屏幕主体基板边缘，由电路导通芯片、屏幕；所述晶圆与屏幕主体基板为公用基板，或者，晶圆与屏幕主体基板经粘接、焊接、分子吸附或真空吸附至少之一连接；所述公用基板为：基板一侧敷设屏幕显像组建，另一侧敷设氧化沉积层涂膜、曝光、显影、刻蚀及离子植入工艺实现晶体管电路的集成；晶粒刻蚀引线端与引脚连接，引脚另一端备用与屏幕主体或电源电路主板至少之一连接；晶粒外围封装绝缘体包裹层，在其晶圆电路集成后针测晶圆良品或晶粒封装后良品检测至少进行其一且至少一次确定良品；其特征在于:所述电路的集成为一层晶体管电路的搭建;所述刻蚀引线端于晶粒下端面边缘、上端面边缘或侧面壁至少之一位置;所述晶圆包括绝缘体、半导体硬质或柔性固体材料制成的几何体;所述屏幕显像组件包括：盖板玻璃、触摸屏、显示屏、触控模组及基板;所述盖板玻璃为屏幕最外层组建，作用在于保护内部结构;或者还包括盖板玻璃附加保护膜;所述触摸屏是外屏，作用在于触摸、操作;所述显示屏是内屏，作用在于显示画面、文字;所述触控模组作用在于实现触控感应，实施人机交互体验；所述显示屏的屏幕显像为电容式或电阻式至少之一屏幕，或者还兼具触控模组实现人机交换功能;触摸感应层下依次设前面板、屏幕主体基板；所述面板作用在于安装滤光片，生成图像；所述屏幕主体基板作用在于布设薄膜晶体管。
7.根据权利要求6所述的芯片、屏幕合一器件，其特征在于，所述屏幕显像至少包括LCD或OLED之一；所述晶体管电路的集成包括计算、存储、通信、感知、电源供给至少之一电路；所述绝缘体包括有机高分子材料或无机高分子材料至少之一;所述连接包括粘接或焊接。
8.根据权利要求6所述的芯片、屏幕合一器件，其特征在于，所述屏幕显像至少包括TFT、TFD、UFB、STN、LCD、AMOLED、IPS、SLCD、ASV之一；所述晶圆的晶体管电路的集成还包括至少两层晶体管电路的搭建，晶粒下端面或上端面的边缘内侧任一位置刻蚀引线端；所述绝缘体包括塑料、树脂、陶瓷、玻璃之一或至少之二合成物；所述半导体包括单质半导体或化合物半导体至少之一。
9.根据权利要求8所述的芯片、屏幕合一器件，其特征在于，所述单质或化合物至少包括硅基、碳基、锗基、镓基、铟基至少之一半导体；所述单质至少包括硅、锗、石墨烯半导体；所述化合物至少包括碳化硅、砷化镓、氮化嫁、磷化铟半导体至少之一。
10.根据权利要求6、7、8、9任一所述的芯片、屏幕合一器件，其特征在于，所述晶圆还包括在其上端面、下端面至少之一面粘接、热焊、冷焊或真空吸附至少之一工艺固定至少一片散热片；所述一层或至少两层晶体管电路的搭建制程设备包括光刻机、粒子打印机或原子打印机之一；所述一款芯片为军用或民用设备构建，至少包括对讲机、夜视仪、手机、平板电脑、电脑、穿戴设备、记载屏幕、车载的应用。
...【技术特征摘要】
1.一款芯片，包括晶圆的氧化沉积层涂膜、曝光、显影、刻蚀及离子植入工艺实现晶体管电路的集成；晶粒刻蚀引线端与引脚连接，引脚另一端备用与屏幕主体或电源电路主板至少之一连接；晶粒外围封装绝缘体包裹层；在其晶圆电路集成后针测晶圆良品或晶粒封装后良品检测至少进行其一且至少一次确定良品；其特征在于:所述晶体管电路的集成为一层晶体管电路的搭建;所述刻蚀引线端于晶粒下端面边缘、上端面边缘或侧面壁至少之一位置;所述晶圆包括绝缘体、半导体硬质或柔性固体材料制成的几何体。
2.根据权利要求1所述的一款芯片，其特征在于，所述晶圆的晶体管电路的集成包括计算、存储、通信、感知、电源供给至少之一电路；所述绝缘体包括有机高分子材料或无机高分子材料至少之一;所述连接包括粘接或焊接。
3.根据权利要求1、2任一所述的一款芯片，其特征在于，所述晶体管电路的集成还包括至少两层晶体管电路的搭建，晶粒下端面或上端面的边缘内侧任一位置刻蚀引线端；所述绝缘体包括塑料、树脂、陶瓷、玻璃之一或至少之二合成物；所述半导体包括单质半导体或化合物半导体至少之一。
4.根据权利要求3所述的一款芯片，其特征在于，所述单质或化合物至少包括硅基、碳基、锗基、镓基、铟基至少之一半导体；所述单质至少包括硅、锗、石墨烯半导体；所述化合物至少包括碳化硅、砷化镓、氮化嫁、磷化铟半导体至少之一。
5.根据权利要求1、2、3、4任一所述的一款芯片，其特征在于，所述晶圆还包括在其上端面、下端面至少之一面粘接、焊接、分子吸附或真空吸附至少之一工艺固定至少一片散热片；
6.芯片、屏幕合一器件包括芯片主体和屏幕主体，以及芯片主体与屏幕主体的连接体，其特征在于：芯片主体中的晶圆至少为一块或至少两块具间隙或无间隙拼接，其面积依据预设晶体管数量所需空间趋近屏幕主体基板边缘，由电路导通芯片、屏幕；所述晶圆与屏幕主体基板为公用基板，或者，晶圆与屏幕主体基板经粘接、焊接、分子吸附或真空吸附至少之一连接；所述公用基板为：基板一侧敷设屏幕显像组建，另一侧敷设氧化沉积层涂膜、曝光、显影、刻蚀及离子植入工艺实现晶体管电路的集成；晶粒刻蚀引线端与引脚连接，引脚另一端备用与屏幕主体或电源电路主板至少之一连接；晶粒外围封装绝缘体包裹层，在其晶圆电路集成后针测晶圆良品或晶粒封装后良...
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