能够大面积测量的监测设备制造技术

技术编号:41130623 阅读:32 留言:0更新日期:2024-04-30 18:00
公开能够在半导体工艺或显示器工艺中轻易地诊断设备的性能的能够大面积测量的监测设备。所述监测设备包括保护层、排列于所述保护层内部的空间的基板及排列于所述基板上的至少一个电子元件。其中,所述电子元件具有至少一个传感器,所述监测设备利用所述传感器测量位于所述监测设备的外部的被诊断体的温度、倾斜度、光、振动、电压、电流、电力、压力及所述被诊断体和其他元件之间的距离中至少一个来诊断所述被诊断体,所述基板形成有阴刻结构物或阳刻结构物,所述阴刻结果物内填充有具有不同于所述基板的特性的物质或所述阳刻结构物由具有不同于所述基板的特性的物质形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及能够大面积测量的监测设备


技术介绍

1、半导体及显示器正在顺应大口径化趋势进行开发。在制造半导体及显示器时,保持半导体设备内的工艺均匀度是减少不良的核心要素。所述半导体设备或所述显示器设备需在每个工艺中保障相同水平的工艺均匀度,但是随着重复无数次温度的升降、rf功率的开闭、压力的升降和时间的推移,性能可发生变化。

2、在所述半导体设备或所述显示器设备中发生的工艺变化导致晶圆或玻璃基板的不良。但是到目前为止还没有能够准确监测这种工艺条件的变化的技术。


技术实现思路

1、技术问题

2、本专利技术的目的在于提供一种能够在半导体工艺或显示器工艺中轻易地诊断设备的性能的能够大面积测量的监测设备。

3、技术方案

4、为了达到如上所述的目的,根据本专利技术的一个实施例的监测设备包括:保护层;基板,排列于所述保护层内部的空间;及至少一个电子元件,排列于所述基板上。其中,所述电子元件具有至少一个传感器,所述监测设备利用所述传感器测量位于所述监测设备的外部的被诊断体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种监测设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的监测设备,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

7.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

8.根据权利要求7所述的监测设备,其特征在于:

9.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

10.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种监测设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

4.根据权利要求3所述的监测设备,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

7.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

8.根据权利要求7所述的监测设备,其特征在于:

9.根据权利要求1所述的监测设备,其特征在于:

10.根据权利要求1所述的监测设备...

【专利技术属性】
技术研发人员:金宰焕吴宰源
申请(专利权)人:维特株式会社
类型:发明
国别省市:

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