【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及一种衬底或晶圆载体，所述衬底或晶圆载体在用于通过化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)将薄膜沉积在衬底上的系统中使用，以用于制造半导体元件。更具体地，本专利技术涉及带有用于一个或多个钻孔的塞的衬底载体。
技术介绍
1、在化学气相沉积(cvd)工艺中使用了一种衬底载体，以用于制造半导体元件。在cvd或原子层沉积(ald)工艺中，在例如硅、氮化镓或蓝宝石半导体衬底(也称为晶圆或晶圆衬底)上生长或沉积由诸如例如氧化铝、氮化铝或氮化镓的材料构成的薄层堆叠，该半导体衬底被容纳在存在于衬底载体的沉积表面中的凹进槽中。
2、正如例如在us2017309512a1中所公开的，这种圆形衬底载体可以具有一个单个的凹进槽，但通常具有多个凹进槽，每个凹进槽用于将单个半导体衬底容纳在ald工艺室中。在引文中，用于待处理的半导体衬底的凹进槽均匀地分布在衬底载体的第一沉积表面侧。这种衬底载体系统通常被称为煎饼式批量载体系统。
3、在cvd或ald工艺中，包括容纳在凹进槽中的半导体衬底的衬底载体的整个沉积表面经受沉积气体...
【技术保护点】
1.一种在用于在半导体衬底上生长外延层的系统中使用的衬底载体，所述衬底载体是具有第一表面侧的盘，包括限定为衬底支撑的多个区域，所述衬底支撑被布置成用于在使用期间容纳所述半导体衬底，并且其中，所述衬底载体还包括多个气体通道，所述多个气体通道在所述盘的内侧径向延伸，并且每个气体通道在每个所述衬底支撑与在所述衬底支撑的径向内侧的所述盘的中心部分之间提供气体连接，并且其中，每个所述气体通道由钻孔构成，所述钻孔从所述衬底载体的周向壁表面布置并且设置有钻孔塞，其特征在于，所述钻孔塞包括第一部分和单独的第二部分，其中，所述第一部分的至少一区段具有与所述钻孔匹配的形状，用于将所述第一...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在用于在半导体衬底上生长外延层的系统中使用的衬底载体，所述衬底载体是具有第一表面侧的盘，包括限定为衬底支撑的多个区域，所述衬底支撑被布置成用于在使用期间容纳所述半导体衬底，并且其中，所述衬底载体还包括多个气体通道，所述多个气体通道在所述盘的内侧径向延伸，并且每个气体通道在每个所述衬底支撑与在所述衬底支撑的径向内侧的所述盘的中心部分之间提供气体连接，并且其中，每个所述气体通道由钻孔构成，所述钻孔从所述衬底载体的周向壁表面布置并且设置有钻孔塞，其特征在于，所述钻孔塞包括第一部分和单独的第二部分，其中，所述第一部分的至少一区段具有与所述钻孔匹配的形状，用于将所述第一部分的至少所述区段压配合在所述钻孔中，并且其中，所述第二部分设置有互锁装置，并且每个钻孔设置有与所述第二部分的所述互锁装置相对应的装置，并且所述装置被布置成用于接收且机械地保持所述第二部分的所述互锁装置，并且其中，所述钻孔的所述互锁装置以相对于所述钻孔的纵向方向成一定角度的方式设置在所述衬底载体的所述壁表面中，用于阻挡所述第一钻孔塞部分。
2.根据权利要求1所述的衬底载体，其中，所述衬底载体的所述壁表面朝向所述衬底载体的与所述第一表面侧相对的第二表面侧倾斜。
3.根据权利要求1或2所述的衬底载体，其中，在所述第一部分的至少所述区段被压配合在所述钻孔中之后，所述钻孔的所述螺纹被设置在所述衬底载体中。
4.根据前述权利要求中任一项所述的衬底载体，其中，所述钻孔塞的所述第二部分在被设置在所述钻孔中之后与所述钻孔塞的所述第一部分接触。
5.根据前述权利要求中任一项所述的衬底载体，其中，所述钻孔塞的所述第二部分具有头部区段，所述头部区段用于接收用于将所述区段拧紧或以其它方式旋转地互锁到所述钻孔的所述螺纹中的工具。
6.根据权利要求5所述的衬底载体，其中，用于接收所述工具的所述头部区段包括：从所述头部区段延伸的多边形工具接收区段，并且其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫里茨·威伯林，阿斯兰·安东，安德烈亚斯·沃尔默，亨利克斯·约瑟夫斯·玛丽亚·德科克，
申请(专利权)人：顺克齐卡博技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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