【技术实现步骤摘要】
本公开涉及单晶硅生产领域，具体地，涉及一种炉台的加热方法和装置。
技术介绍
1、在单晶硅的生产过程中，首先将原料放在石英坩埚中，在单晶炉中加热熔化，这一过程称为熔料，再经过调温过程调整到适当的温度，将籽晶浸入液面熔接，让熔体先在籽晶的末端生长进行缩颈排除位错，这一过程称为引晶，然后在降低加热器功率降低籽晶提升速度让晶体横向生长，这一过程称为放肩，在横向生长到足够直径后提高籽晶提升速度，使晶体转移为纵向生长，得到设定尺寸的单晶硅棒。
2、目前，相同配置的炉台加热器在熔料阶段的加热功率设定为同一数值，并且放肩过程中的加热功率的调整幅度也设定为同一数值。由于单晶炉在运行过程中，单晶炉的热系统受高温、氧化、拆装过程中的损坏以及更换等影响，保温性会不断下降，导致相同配置的炉台的保温性存在差异。并且给加热器提供电流的电源柜功率存在与标准值的偏差，导致相同配置的炉台在给定相同数值的功率的情况下炉内温度会存在差异。因此，在将相同配置的炉台加热器的加热功率设置为同一数值的情况下，多个炉台的炉内温度可能并不相同，导致生产得到的单晶硅的效率和品质存在差异，影响了单晶硅的生产质量。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种炉台的加热方法和装置，用于提高单晶硅的生产质量。
2、根据本公开实施例的第一方面，提供一种炉台的加热方法，所述方法包括：
3、获取目标炉台的加热器的引晶功率，所述引晶功率为所述加热器在引晶阶段的加热功率；
4、根据所述引晶功率对所述加热器的
5、控制所述加热器按照所述目标功率加热所述目标炉台。
6、可选地，所述设定功率包括所述加热器的预设加热功率；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
7、将所述预设加热功率与功率修正系数的乘积作为所述目标功率，所述功率修正系数为所述引晶功率与预设的修正参数的比值。
8、可选地，所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述设定功率包括所述第一加热器对应的第一设定功率和所述第二加热器对应的第二设定功率；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
9、根据所述引晶功率对所述第一加热器对应的第一设定功率进行修正，得到修正后的第一目标功率；
10、根据所述引晶功率对所述第二加热器对应的第二设定功率进行修正，得到修正后的第二目标功率；
11、所述控制所述加热器按照所述目标功率加热所述目标炉台包括：
12、控制所述第一加热器按照所述第一目标功率加热所述目标炉台，并控制所述第二加热器按照所述第二目标功率加热所述目标炉台。
13、可选地，所述设定功率包括所述加热器的加热功率的预设调整量；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
14、根据所述预设调整量和所述引晶功率，确定所述加热功率的修正调整量；
15、将所述引晶功率与所述修正调整量之和作为所述目标功率。
16、可选地，所述根据所述预设调整量和所述引晶功率，确定所述加热器的修正调整量包括：
17、将所述预设调整量与功率修正系数的乘积作为所述修正调整量，所述功率修正系数为所述引晶功率与预设的修正参数的比值。
18、根据本公开实施例的第二方面，提供一种炉台的加热装置，所述装置包括：
19、获取模块，用于获取目标炉台的加热器的引晶功率，所述引晶功率为所述加热器在引晶阶段的加热功率；
20、修正模块，用于根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率；
21、加热模块，用于控制所述加热器按照所述目标功率加热所述目标炉台。
22、可选地，所述设定功率包括所述加热器的预设加热功率；所述修正模块用于：
23、将所述预设加热功率与功率修正系数的乘积作为所述目标功率，所述功率修正系数为所述引晶功率与预设的修正参数的比值。
24、可选地，所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述设定功率包括所述第一加热器对应的第一设定功率和所述第二加热器对应的第二设定功率；所述修正模块用于：
25、根据所述引晶功率对所述第一加热器对应的第一设定功率进行修正，得到修正后的第一目标功率；
26、根据所述引晶功率对所述第二加热器对应的第二设定功率进行修正，得到修正后的第二目标功率；
27、所述加热模块用于：
28、控制所述第一加热器按照所述第一目标功率加热所述目标炉台，并控制所述第二加热器按照所述第二目标功率加热所述目标炉台。
29、可选地，所述设定功率包括所述加热器的加热功率的预设调整量；所述修正模块用于：
30、根据所述预设调整量和所述引晶功率，确定所述加热功率的修正调整量；
31、将所述引晶功率与所述修正调整量之和作为所述目标功率。
32、可选地，所述修正模块用于：
33、将所述预设调整量与功率修正系数的乘积作为所述修正调整量，所述功率修正系数为所述引晶功率与预设的修正参数的比值。
34、通过上述技术方案，本公开首先获取目标炉台的加热器的引晶功率，引晶功率为加热器在引晶阶段的加热功率，然后根据引晶功率对加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率，并控制加热器按照目标功率加热目标炉台。本公开利用引晶功率对加热器的设定功率进行修正，并控制加热器按照修正后得到目标功率加热目标炉台，能够保证多个炉台的炉内温度保持一致，从而提高了单晶硅的生产质量。
35、本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
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1.一种炉台的加热方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定功率包括所述加热器的预设加热功率；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述设定功率包括所述第一加热器对应的第一设定功率和所述第二加热器对应的第二设定功率；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定功率包括所述加热器的加热功率的预设调整量；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述预设调整量和所述引晶功率，确定所述加热器的修正调整量包括：
6.一种炉台的加热装置，其特征在于，所述装置包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述设定功率包括所述加热器的预设加热功率；所述修正模块用于：
8.根据
9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述设定功率包括所述加热器的加热功率的预设调整量；所述修正模块用于：
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述修正模块用于：
...【技术特征摘要】
1.一种炉台的加热方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定功率包括所述加热器的预设加热功率；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热器包括第一加热器和第二加热器，所述设定功率包括所述第一加热器对应的第一设定功率和所述第二加热器对应的第二设定功率；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定功率包括所述加热器的加热功率的预设调整量；所述根据所述引晶功率对所述加热器的设定功率进行修正，得到修正后的目标功率包括：
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：徐毅，钱龙，王强，梁崇仁，吴建业，卢荣洪，段丽超，谭明科，杨文俊，熊文勇，罗学伟，郑维奇，李宗飞，
申请(专利权)人：丽江隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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