【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅产品制作，特别是涉及一种晶体生长工艺控制方法、一种晶体生长工艺控制装置、一种电子设备和一种计算机可读存储介质。
技术介绍
1、随着大尺寸单晶的发展，单晶直径越来越大，大直径的单晶转换效率具有较高的优势，在拉制单晶的时候，需要经过熔料、温度稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾几个步骤，现有技术中，在引晶阶段通过控制逻辑参数从而控制引晶工艺，而这种方式受到了控制模型的影响，不能调整引晶功率，也不能自动调整坩埚升降量，从而放肩阶段前期的放肩拉速没有提升的空间，以使放肩过程中埚升集中导致断棱几率，而且因引晶阶段与放肩阶段工步衔接不够紧密，无法实现提升拉速从而节省工时，也无法解决引放困难等问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种晶体生长工艺控制方法、一种晶体生长工艺控制装置、一种电子设备和一种计算机可读存储介质。
2、第一方面，本专利技术实施例公开了一种晶体生长工艺控制方法，所述方法包括：
3、在晶体生产工步进入引晶阶段，根据晶体长度与多个预设长度分段的关系，从多个预设调整规律中确定目标调整规律；所述多个预设调整规律与所述多个预设长度分段相对应；
4、根据所述目标调整规律调整引晶平均拉速、埚升速度、引晶功率以及坩埚升降量，其中，所述引晶长度在不同预设分段内，所述埚升速度、所述引晶功率以及所述坩埚升降量的调整根据所述引晶长度的变化而变化，且所述埚升速度、所述引晶功率
5、可选地所述根据所述目标调整规律调整引晶平均拉速、埚升速度、引晶功率以及坩埚升降量，包括：
6、当引晶长度小于等于50mm时，将引晶平均拉速调整为200mm/h，引晶功率基于第一预设下调规律进行下调，埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于50mm时，坩埚升降量为1mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.2kw；
7、当引晶长度大于50mm且小于等于100mm时，将所述引晶平均拉速调整为240m/h，所述引晶功率基于第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于100mm时，所述坩埚升降量为2mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.5kw；
8、当引晶长度大于100mm且小于等于150mm时，将所述引晶平均拉速调整为260mm/h，所述引晶功率基于第三预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为5.26mm/h，使所述引晶长度等于150mm时，所述坩埚升降量为3mm，所述引晶功率基于初始功率下调1kw；
9、当引晶长度大于150mm且小于等于200mm时，将所述引晶平均拉速调整为280mm/h，所述引晶功率基于第四预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为11.7mm/h，使所述引晶长度等于200mm时，所述坩埚升降量为5mm，所述引晶功率基于初始功率下调1.5kw；
10、当所述引晶长度达到目标引晶长度时，按照预设放肩拉速、预设放肩功率、预设放肩埚升速度进入放肩阶段。
11、可选地，所述当引晶长度小于等于50mm时，将引晶平均拉速调整为200mm/h，引晶功率基于第一预设下调规律进行下调，埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于50mm时，坩埚升降量为1mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.2kw，包括：
12、当引晶长度小于等于10mm时，将引晶平均拉速调整为200mm/h，引晶功率基于第一预设下调规律进行下调，埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于10mm时，坩埚升降量为0.2mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.04kw；
13、当引晶长度大于10mm且小于等于20mm时，将所述引晶平均拉速调整为200mm/h，所述引晶功率基于所述第一预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于20mm时，所述坩埚升降量为0.4mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.08kw；
14、当引晶长度大于20mm且小于等于30mm时，将所述引晶平均拉速调整为200mm/h，所述引晶功率基于所述第一预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于30mm时，所述坩埚升降量为0.6mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.12kw；
15、当引晶长度大于30mm且小于等于40mm时，将所述引晶平均拉速调整为200mm/h，所述引晶功率基于所述第一预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于40mm时，所述坩埚升降量为0.8mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.16kw；
16、当引晶长度大于40mm且小于等于50mm时，将所述引晶平均拉速调整为200mm/h，所述引晶功率基于所述第一预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于50mm时，所述坩埚升降量为01mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.2kw。
17、可选地，所述当引晶长度大于50mm且小于等于100mm时，将所述引晶平均拉速调整为240mm/h，所述引晶功率基于第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于100mm时，所述坩埚升降量为2mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.5kw，包括：
18、当引晶长度大于50mm且小于等于60mm时，将所述引晶平均拉速调整为208mm/h，所述引晶功率基于第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于60mm时，所述坩埚升降量为1.2mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.26kw；
19、当引晶长度大于60mm且小于等于70mm时，将所述引晶平均拉速调整为216mm/h，所述引晶功率基于所述第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于70mm时，所述坩埚升降量为1.4mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.32kw；
20、当引晶长度大于70mm且小于等于80mm时，将所述引晶平均拉速调整为224mm/h，所述引晶功率基于所述第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于80mm时，所述坩埚升降量为1.6mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.38kw；
21、当引晶长度大于80mm且小于等于90mm时，将所述引晶平均拉速调整为232mm/h，所述引晶功率基于所述第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于90mm时，所述坩埚升降量为1.8mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.44kw；
22、当引晶长度大于90mm且小于等于100mm时，将所述引晶平均拉速调整为240mm/h，所述引晶功率基于所述第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于100mm时本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.一种晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述根据所述目标调整规律调整引晶平均拉速、埚升速度、引晶功率以及坩埚升降量，包括：
3.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度小于等于50MM时，将引晶平均拉速调整为200MM/H，引晶功率基于第一预设下调规律进行下调，埚升速度调整为4MM/H，使所述引晶长度等于50MM时，坩埚升降量为1MM，所述引晶功率基于初始功率下调0.2KW，包括：
4.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度大于50MM且小于等于100MM时，将所述引晶平均拉速调整为240MM/H，所述引晶功率基于第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76MM/H，使所述引晶长度等于100MM时，所述坩埚升降量为2MM，所述引晶功率基于初始功率下调0.5KW，包括：
5.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度大于100MM且小于等于150MM时，将所述引晶平均拉速调整为260M
6.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度大于150MM且小于等于200MM时，将所述引晶平均拉速调整为280MM/H，所述引晶功率基于第四预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为11.7MM/H，使所述引晶长度等于200MM时，所述坩埚升降量为5MM，所述引晶功率基于初始功率下调1.5KW，包括：
7.一种晶体生长工艺控制装置，其特征在于，所述装置包括：
8.根据权利要求7所述的晶体生长工艺控制装置，其特征在于，所述调整模块包括：
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器及存储在所述存储器上并能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的晶体生长工艺控制方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的晶体生长工艺控制方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述方法包括：
2.一种晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述根据所述目标调整规律调整引晶平均拉速、埚升速度、引晶功率以及坩埚升降量，包括：
3.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度小于等于50mm时，将引晶平均拉速调整为200mm/h，引晶功率基于第一预设下调规律进行下调，埚升速度调整为4mm/h，使所述引晶长度等于50mm时，坩埚升降量为1mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.2kw，包括：
4.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度大于50mm且小于等于100mm时，将所述引晶平均拉速调整为240mm/h，所述引晶功率基于第二预设下调规律进行下调，所述埚升速度调整为4.76mm/h，使所述引晶长度等于100mm时，所述坩埚升降量为2mm，所述引晶功率基于初始功率下调0.5kw，包括：
5.根据权利要求2所述的晶体生长工艺控制方法，其特征在于，所述当引晶长度大于100mm且小于等于150mm时，将所述引晶平均拉速调整为260mm/h，所述引晶功率基于第三预设下调规律进行下调...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱龙，李宗飞，段丽超，党俊佳，谭明科，李锦辉，王靖超，徐毅，杨文俊，熊文勇，梁崇仁，
申请(专利权)人：丽江隆基硅材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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