磁控管装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种磁控管装置及半导体工艺设备，其中，磁控管装置包括基座、第一滑动座、磁控管组件、旋转驱动器和传动组件；第一滑动座与基座滑动连接，磁控管组件包括第一磁控管和第二磁控管，第一磁控管设置于基座，第二磁控管设置于第一滑动座，旋转驱动器与基座驱动连接，旋转驱动器用于驱动基座转动，旋转驱动器还通过传动组件与第一滑动座驱动连接，传动组件具有传动连接状态和传动切断状态，在传动组件处于传动连接状态的情况下，传动组件用于带动第一滑动座相对基座滑动；在传动组件处于传动切断状态的情况下，第一滑动座与基座相对静止。所述磁控管装置能够调整第二磁控管的位置，从而提升靶材的溅射均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体工艺，尤其涉及一种磁控管装置及半导体工艺设备。

技术介绍

1、溅射，又称为物理气相沉积，被广泛使用在晶片或其他基板上沉积目标材料层。磁控溅射技术是通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。

2、在相关技术中，在驱动磁控管装置转动进行溅射的过程中，靶材存在腐蚀程度不均匀的问题，会使得靶材的溅射均匀性不够好。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种磁控管装置及半导体工艺设备，以解决如何提升靶材的溅射均匀性的问题。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种磁控管装置。

3、本申请实施例提供的磁控管装置用于半导体工艺设备中，所述磁控管装置包括：基座、第一滑动座、磁控管组件、旋转驱动器和传动组件；

4、所述第一滑动座与所述基座滑动连接，所述磁控管组件包括第一磁控管和第二磁控管，所述第一磁控管设置于所述基座，所述第二磁控管设置于所述第一滑动座，

5、所述旋转驱动器与所述基座驱动连接，所述旋转驱动器用于驱本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁控管装置，用于半导体工艺设备中，其特征在于，包括：基座(110)、第一滑动座(121)、磁控管组件、旋转驱动器(140)和传动组件(150)；

2.根据权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于，所述传动组件(150)包括第一传动轮(151)、第二传动轮(1521)、传动轴(1522)和第一缠绕带(1531)；

3.根据权利要求2所述的磁控管装置，其特征在于，所述传动组件(150)还包括第一复位件(1541)，所述第一复位件(1541)分别与所述第一滑动座(121)和所述基座(110)连接，所述第一复位件(1541)用于向所述第一滑动座(121)施加第一复位...

【技术特征摘要】

1.一种磁控管装置，用于半导体工艺设备中，其特征在于，包括：基座(110)、第一滑动座(121)、磁控管组件、旋转驱动器(140)和传动组件(150)；

2.根据权利要求1所述的磁控管装置，其特征在于，所述传动组件(150)包括第一传动轮(151)、第二传动轮(1521)、传动轴(1522)和第一缠绕带(1531)；

3.根据权利要求2所述的磁控管装置，其特征在于，所述传动组件(150)还包括第一复位件(1541)，所述第一复位件(1541)分别与所述第一滑动座(121)和所述基座(110)连接，所述第一复位件(1541)用于向所述第一滑动座(121)施加第一复位驱动力，所述第一复位驱动力的方向与所述第一缠绕带(1531)施加至所述第一滑动座(121)的驱动力的方向相反。

4.根据权利要求3所述的磁控管装置，其特征在于，所述传动组件(150)还包括第一限位件和第二限位件，所述第一限位件和所述第二限位件分别设置于所述基座(110)，

5.根据权利要求2所述的磁控管装置，其特征在于，所述磁控管装置还包括第二滑动座(122)和第三滑动座(12...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春伟，杨玉杰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：