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利用具备基座(20)和加热环(30)的外延生长装置的外延硅晶片的制造方法，其特征在于，将硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述基座(20)的外周部的表面位置(c)高，并将所述硅晶片(W)的表面位置(b)设为比所述加热环(30)的表面位置(a...
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