外延硅晶片制造技术

本发明专利技术的课题是确保必要的吸杂能力，同时提高晶片外周部的强度，防止滑移位错的产生。解决手段如下：外延硅晶片是在氮浓度调节为1×1012‑1×1013原子/cm3、且由COP区域构成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其中，实施评价热处理时，形成于硅晶片20的内部的BMD(氧沉淀物)密度在晶片径向整个范围内为1×108‑3×109个/cm3。另外，自硅晶片20的最外周向内1‑10mm的外周部区域21内的BMD的平均密度比中心部区域22内的BMD的平均密度低，外周部区域21的BMD密度的偏差度为3以下，外周部区域21的残留氧浓度为8×1017原子/cm3以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及外延硅晶片，特别涉及通过氮掺杂而吸杂能力提高的外延硅晶片。
技术介绍
作为半导体装置的基板材料，外延硅晶片得到广泛应用。外延硅晶片是在硅晶片上形成硅外延膜而成的产品，具有晶体完整性高的特点。另一方面，半导体装置中使用的外延硅晶片中如果存在重金属杂质，则会导致产生半导体装置的特性不良，因此必须尽量减少重金属杂质。降低该重金属杂质的技术之一有吸杂技术，作为该吸杂技术之一，已知在硅晶片内形成氧沉淀物(BMD:BulkMicroDefect，体微缺陷)，使重金属杂质捕获于其中的、称为内吸杂(IG:intrinsicgettering)的方法。近年来，人们希望提供形成于晶片内部的BMD密度为1×108个/cm3以上的外延硅晶片。但是，在外延膜的成膜过程中，硅晶片在1000-1200℃的高温下加热，但此时晶片中的微小的氧沉淀核由于高温热处理而缩小或消失，在之后的装置工艺中无法充分诱发BMD。另外，随着半导体装置的精细化，装置工艺不断低温化，而由于装置工艺的低温化使得装置工艺过程的氧沉淀核的生长困难，BMD密度显著降低。因此有外延硅晶片的吸杂能力低的问题。另一方面，为了进一步提高外本文档来自技高网...

【技术保护点】
外延硅晶片，其为在氮浓度调节为1×1012原子/cm3以上且1×1013原子/cm3以下的范围内、且由COP区域构成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其特征在于：在实施氧沉淀物评价热处理时，形成于所述硅晶片的内部的氧沉淀物密度在所述硅晶片的径向整个范围内为1×108个/cm3以上且3×109个/cm3以下，且在自所述硅晶片的最外周向内1mm至10mm的外周部区域内形成的氧沉淀物的平均密度比在所述外周部区域以外的中心部区域内形成的氧沉淀物的平均密度低，且所述外周部区域的所述氧沉淀物密度的最大值与最小值之差(最大值‑最小值)为3以下，且所述外周部区域的残留氧浓度为8×1017原子/cm3 ...

【技术特征摘要】
2015.09.04 JP 2015-1746671.外延硅晶片，其为在氮浓度调节为1×1012原子/cm3以上且1×1013原子/cm3以下的范围内、且由COP区域构成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其特征在于：在实施氧沉淀物评价热处理时，形成于所述硅晶片的内部的氧沉淀物密度在所述硅晶片的径向整个范围内为1×108个/cm3以上且3×109个/cm3以下，且在自所述硅晶片的最外周向内1mm至10mm的外周部区域内形成的氧沉淀物的平均密度比在所述外周部区域以外的中心部区域内形成的氧沉淀物的平均密度低，且所述外周部区域的所述氧沉淀物密度的最大值与最小值之差(最大值-最小值)为3以下，且所述外周部区域的残留氧浓度为8×1017原子/cm3(Old-ASTM_F121，1979)以上。2.权利要求1所述的外延硅晶片，其特征在于：所述最大值位于所述外周部区域中自所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池康夫，片野智一，小野敏昭，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP