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本发明的课题是确保必要的吸杂能力，同时提高晶片外周部的强度，防止滑移位错的产生。解决手段如下：外延硅晶片是在氮浓度调节为1×1012‑1×1013原子/cm3、且由COP区域构成的硅晶片表面上形成有外延硅膜的外延硅晶片，其中，实施评价热处理...
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