【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到一种硅晶片清洗工艺。
技术介绍
硅晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键，形成表面附近的自由力场，表面极易吸附各种杂质，可能吸附的杂质有油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物、金属、金属离子、无机化合物、自然氧化层及其他颗粒(硅，碳化硅)，这些杂质造成硅晶片易发生变花、发蓝、发黑和影响制绒等现象，使硅晶片不合格。常规的清洗工艺能将大部分硅晶片清洗干净，清洗合格率能达到90％以上。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种清洗效率更高的硅晶片清洗工艺。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。所述三号池的水溢流至二号池，七号池的水溢流至六...
【技术保护点】
硅晶片清洗工艺，其特征在于：清洗车间温度25±3℃；湿度30％‑60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。
【技术特征摘要】
1.硅晶片清洗工艺，其特征在于：清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，
采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池
内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；
四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八
号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次
通过一号至九...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹文龙，张力峰，田利中，白青松，梁会宁，
申请(专利权)人：苏州晶樱光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。