本发明专利技术涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，工艺为一、加工退火装置，把一石英坩埚从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽；二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片；三、在石英坩埚的底部加入0.3~0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将CdS晶片放在卡槽中，将整体装置放置在石英外管内并在1×10-4Pa以上的真空度下烧结密封；四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火,退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片，有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种CdS晶片的退火工艺，特别涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺。
技术介绍
通过物理气相传输(PVT)法生长出来的本征CdS晶体通常为高阻状态，而高阻的CdS晶片无法直接用于器件制作，因此想要实现在器件上的应用需要制备出低阻的CdS晶体，在气氛中退火是改变晶体性能的一种常用手段，因此提出在Cd气氛中对CdS晶体进行退火的方法，通过在高温下Cd原子向晶体内的扩散，在CdS晶体中形成S空位缺陷，从而提高有效载流子浓度，降低电阻率，最终得到低阻的CdS晶体，通过在Cd气氛中对CdS晶体进行退火的方法可以有效降低CdS晶体电阻，但是退火扩散速度慢，直接对晶锭退火耗时长且无法扩散到晶体内部；另外CdS晶体较脆易碎，对退火时装置放置的要求高。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的问题，本专利技术提供一种对CdS晶片放置在退火装置中进行退火工艺，保证退火效果，具体技术方案是，一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，其特征在于:分以下步骤进行，步骤一、加工退火装置，把一石英坩祸从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽； 步骤二、将生长出的CdS晶锭切成Imm厚的CdS晶片； 步骤三、将CdS晶片放在卡槽中，在石英坩祸的底部加入0.3-0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将整体装置放置在石英外管内并在lX10_4Pa以上的真空度下烧结密封； 步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900~950°C的某一温度恒温，退火时间5天； 步骤五、退火完毕后，以2°C /min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。本专利技术的有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。【附图说明】图1是本专利技术采用的CdS晶片退火装置示意图。图2是本专利技术CdS晶片安装在退火装置示意图。【具体实施方式】下面结合实例进一步说明，如图1所示，是本专利技术采用的CdS晶片退火装置，退火工艺如下: 步骤一、加工退火装置，把一石英坩祸I从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽1-1 ; 步骤二、将生长出的CdS晶锭切成Imm厚的CdS晶片2 ； 步骤三、在石英坩祸I的底部加入0.3gCd单质3，同时加入5gCdS粒4，将CdS晶片2放在卡槽1-1中，将整体装置放置在石英外管内并在lX10_4Pa以上的真空度下烧结密封；步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900°C恒温，退火时间5天； 步骤五、退火完毕后，以2°C /min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。【主权项】1.一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，其特征在于:分以下步骤进行， 步骤一、加工退火装置，把一石英坩祸(I)从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5_的卡槽(1-1); 步骤二、将生长出的CdS晶锭切成Imm厚的CdS晶片(2)； 步骤三、将CdS晶片(2 )放在卡槽(1-1)中，在石英坩祸(I)的底部加入0.3-0.5gCd单质(3)，同时加入4~6gCdS粒(4)，将整体装置放置在石英外管内并在lX10_4Pa以上的真空度下烧结密封； 步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900~950°C的某一温度恒温，退火时间5天； 步骤五、退火完毕后，以2°C /min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。【专利摘要】本专利技术涉及一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，工艺为一、加工退火装置，把一石英坩埚从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽；二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片；三、在石英坩埚的底部加入0.3~0.5gCd单质，同时加入4~6gCdS粒，将CdS晶片放在卡槽中，将整体装置放置在石英外管内并在1×10-4Pa以上的真空度下烧结密封；四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火,退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片，有益效果是可以较快有效的从高阻的CdS晶体得到低阻的CdS晶片，同时保证了退火过程中晶片的稳定，解决了阻碍CdS晶片器件应用的关键问题。【IPC分类】C30B33/02, C30B29/50【公开号】CN104962997【申请号】CN201510414445【专利技术人】司华青, 徐永宽, 程红娟, 张颖武, 练小正, 李璐杰 【申请人】中国电子科技集团公司第四十六研究所【公开日】2015年10月7日【申请日】2015年7月15日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于获得低阻CdS晶片的退火工艺，其特征在于：分以下步骤进行，步骤一、加工退火装置，把一石英坩埚（1）从侧面斜向约45°切出数条宽度1~1.5mm的卡槽（1‑1）;步骤二、将生长出的CdS晶锭切成1mm厚的CdS晶片（2）；步骤三、将CdS晶片（2）放在卡槽（1‑1）中，在石英坩埚（1）的底部加入0.3~0.5gCd单质（3），同时加入4~6gCdS粒（4），将整体装置放置在石英外管内并在1×10‑4Pa以上的真空度下烧结密封；步骤四、将整个装置放置在垂直5温区炉的中部进行退火，退火时各温区保持在900~950℃的某一温度恒温，退火时间5天；步骤五、退火完毕后，以2℃/min的速率缓慢降温至室温，取出装置即可得到低阻的CdS晶片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：司华青，徐永宽，程红娟，张颖武，练小正，李璐杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津;12
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