【技术实现步骤摘要】
本专利涉及一种半导体材料热处理装置,具体涉及一种消除碲锌镉材料沉淀相缺陷的热处理装置。技术背景材料是一种具有广泛用途的半导体材料。它和窄禁带的HgCdTe材料在晶格上可实现完全匹配,是HgCdTe外延的优选衬底材料,已被广泛应用于制备高性能红外焦平面探测器;材料同时也是探测X射线和γ射线的光敏感材料,用其制备的γ探测器在性能上明显优于Si探测器。基于材料的光电探测器在航天、航空、地面和海洋遥感探测领域都具有重要的应用,是实现地球资源探测、环境评估、气象预报、军事侦察、预警、跟踪以及核环境评估所需的核心元器件。和广泛应用的Si材料和GaAs材料相比,碲锌镉材料的缺陷形成能非常低,热导率又非常低,生长出的碲锌镉晶锭大都为多晶粒材料,并或多或少含有富碲或富镉沉淀相缺陷。单晶材料是从大的晶粒中切割出来的,材料中的缺陷则需要通过热处理工艺来进行调整。热处理是通过加热沉淀相缺陷,并利用气相改变热沉淀相缺陷(液态或固态),使其进入过饱和状态后在四周的晶体表面发生外延,进而达到减小缺陷尺寸的目的。由于材料的气相平衡蒸气压以Cd压为主,热处理工艺一般都设置Cd源来维持材料 ...
【技术保护点】
一种消除碲锌镉材料沉淀相缺陷的热处理装置,包括石英管热处理腔体(11)、双温区加热炉(10)、配备N2气源(1)、H2气源(2)和Ar气源(3)三种气源且可增压的高纯气体系统和样品热处理盒,其特征在于:所述的石英管热处理腔体(11)在进样口处设置有,石英冷却水套(12),石英套(13),石英冷却水套(12)和石英腔体加工成一体使进样口(14)处于室温状态;所述的样品热处理盒由盒体(15)、盒盖(16)、密封锁紧螺丝(17)和样品架(18)组成,盒体(15)的形状为长条形,一侧为样品区,另一侧为Cd源区,样品区内设置样品架(18),样品插在样品架(18)的槽中;盒体(15)和 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨建荣,盛锋锋,徐超,孙士文,
申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所,
类型:新型
国别省市:上海;31
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