【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】用于退火半导体材料晶片和类似基板的退火模块降低颗粒污染和氧气进入，同时提供包括对于500℃的工艺的均匀加热。退火模块可包括形成在金属主体中的工艺腔室，所述金属主体具有内部冷却管线。热板具有基座，所述基座被支撑在主体上的热扼流器上。在热板之上的盖中的气体分布器将气体在晶片之上均匀地流动。传送机构移动环箍以将晶片在热板和冷板之间移位。【专利说明】用于半导体晶片的退火模块
本专利技术的实施方式一般涉及退火设备，更特别地，涉及用于半导体晶片的退火模块。
技术介绍
微电子电路和其他微尺度装置通常是由基板或晶片制成，所述基板或晶片诸如是硅或其他半导体材料晶片。多个金属层被施加于基板上以形成微电子或其他微尺度部件，或以提供电互连。这些通常是铜的金属层被电镀到基板上，且以光刻、电镀、蚀刻、抛光或其他步骤的顺序形成部件和互连。 为了获得所需的材料性质，一般使基板经受退火工艺，在所述工艺中，基板被迅速地加热，通常被加热至约200°C至50(TC且更通常被加热至300°C至40(TC的温度。基板可被保持在这些温度下达相对短的时间，例如，60至300...
【技术保护点】
一种退火设备，所述退火设备包括：金属主体；盖，所述盖在所述金属主体上，其中工艺腔室在所述金属主体和所述盖之间形成；一或多个冷却管线，所述一或多个冷却管线在所述金属主体中或所述金属主体上；热板，所述热板具有在所述主体上的热扼流器上支撑的基座；气体分布器，所述气体分布器在所述热板之上的所述盖中；冷板，所述冷板在所述金属主体上；装载槽，所述装载槽邻近于所述冷板在所述金属主体中；传送机构，所述传送机构具有环箍，所述环箍可移动到所述冷板之上的第一位置和移动到所述热板之上的第二位置，其中所述传送机构还具有用于上升和下降所述环箍的升降机构；和至少一个电子组件，所述至少一个电子组件附接于所述金属主体。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：文森特·斯特凡·弗朗西斯凯特，格雷戈里·J·威尔逊，凯尔·M·汉森，保罗·沃思，罗伯特·B·穆尔，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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