【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体材料热处理技术，具体涉及。技术背景材料是一种具有广泛用途的半导体材料。它和窄禁带的HgCdTe材料在晶格上可实现完全匹配，是HgCdTe外延的优选衬底材料，已被广泛应用于制备高性能红外焦平面探测器；材料同时也是探测X射线和γ射线的光敏感材料，用其制备的γ探测器在性能上明显优于Si探测器。基于材料的光电探测器在航天、航空、地面和海洋遥感探测领域都具有重要的应用，是实现地球资源探测、环境评估、气象预报、军事侦察、预警、跟踪以及核环境评估所需的核心元器件。和广泛应用的Si材料和GaAs材料相比，碲锌镉材料的缺陷形成能非常低，热导率又非常低，生长出的碲锌镉晶锭大都为多晶粒材料，并或多或少含有富碲或富镉沉淀相缺陷。单晶材料是从大的晶粒中切割出来的，材料中的缺陷则需要通过热处理工艺来进行调整。热处理是通过加热沉淀相缺陷，并利用气相改变热沉淀相缺陷(液态或固态)，使其进入过饱和状态后在四周的晶体表面发生外延，进而达到减小缺陷尺寸的目的。由于材料的气相平衡蒸气压以Cd压为主，热处理工艺一般都设置Cd源来维持材料晶体结构的完整性，气相中的Cd分压用...
【技术保护点】
一种消除碲锌镉材料沉淀相缺陷的热处理方法，方法所采用的装置包括石英管热处理腔体(11)、双温区加热炉(10)、配备N2气源(1)、H2气源(2)和Ar气源(3)三种气源且可增压的高纯气体系统和样品热处理盒，其特征在于热处理方法步骤如下：1)洁净石英管热处理腔体(11)和样品热处理盒，石英管热处理腔体(11)和在散装状态下的样品热处理盒的部件在高于热处理温度100℃的温度下进行除气处理；2)对需热处理的材料和作为粉末源用的块材进行清洗，清洗步骤为：a)将样品放入三氯乙烯熔液中加热至沸腾，将样品从熔液中取出，更换三氯乙烯熔液后再加热至沸腾，连续3次或3次以上，取出后放入甲醇熔液...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨建荣，盛锋锋，徐超，孙士文，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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