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本发明涉及一种多线硅片切割工艺，所述的工艺包括以下步骤：碳化硅微粉的选择：选择粒度为2000的碳化硅微粉；砂浆配置：将切削液和碳化硅微粉按照1：0.92～1：1.1的质量比进行配比，使砂浆密度到1.600～1.615；切割：使用直径为6.5...该专利属于苏州东泰太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州东泰太阳能科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种多线硅片切割工艺，所述的工艺包括以下步骤：碳化硅微粉的选择：选择粒度为2000的碳化硅微粉；砂浆配置：将切削液和碳化硅微粉按照1：0.92～1：1.1的质量比进行配比，使砂浆密度到1.600～1.615；切割：使用直径为6.5...