【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶晶片制备
，具体的说，是一种单晶切割装置，用于切割出厚度均一、应力缺陷小的晶片。
技术介绍
高能X、Y射线探测是核安全领域的关键技术之一，在环境监测、空间飞行、医学检测、工业探伤等领域得到了广泛的应用。传统的元素半导体探测器材料如Ge、Si等虽然有合适的探测效率和良好的能量分辨率，但是必须工作在77K以下的低温中，这给探测工作带来了诸多不便。新近发展的化合物半导体材料如GaAs、CdTe、InP等由于禁带宽度窄、电阻率偏低、室温条件下工作漏电流大、制备成本高等诸多不利因素，严重制约了其应用。而溴化铊作为一种具有较高平均原子序数(Tl :81，Br:35)，较大禁带宽度(2. 68eV)，较高电阻率(101°Ω. cm)的化合物半导体，是一种很有发展前景的核辐射探测器用材料，因而得到了国际很多科研机构的青睐。然而溴化铊探测器的载流子收集效率、能量分辨率、低噪声等性能受到晶片切割制备的影响，如何切割出厚度仅有f 2mm，切面均匀平整，厚度均一，表面应力小、凹凸缺陷少的晶片成为制备高性能探测器的一大关键因素。传统的切割方法仅仅是一只手固定住圆柱...
【技术保护点】
一种单晶切割装置，其特征在于，包括：切割盖，其为一金属凹形槽，凹形槽内底部开有半圆槽，凹形槽槽壁上加工有切割栅；切割底座，其为一长方体金属块，长方体金属块的一表面开有半圆槽，长方体金属块在开有半圆槽的表面加工有切割栅；切割底座嵌套于切割盖的凹形槽内，切割底座与切割盖的半圆槽合成一放置待切割单晶的圆形通孔，切割底座与切割盖的切割栅一一对应构成一个完整的单晶切割栅；金刚锯，其穿过单晶切割栅，前后拉割金钢锯实现切片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周东祥，郑志平，傅邱云，龚树萍，胡云香，刘欢，赵俊，余泳涛，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：
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