一种水平式碳化硅高温氧化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种水平式碳化硅高温氧化装置，其包括：水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管，该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔，该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配，令内、外层石英管之间相互隔绝；射频加热组件，其包括：保温件、加热件及加热驱动件，其中，加热件与内层石英管外壁形成间隙；密封结构中设有数个连通环形空腔的气孔；内层石英管两端分别安装有进气端部件及出气端部件，该进气端部件及出气端部件分别设有连通内层石英管内腔的第二进气口及第二出气口。本实用新型专利技术具有简易、灵活、多用、压力调节范围宽、易于控制、有较高氧化温度等诸多优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及高温氧化
，特指一种水平式碳化硅高温氧化装置，该装置不但能够实现碳化硅材料的干氧或湿氧氧化，而且还能够在真空或其它气氛下进行原位退火，以满足碳化硅功率器件的制备要求。技术背景碳化硅(SiC)是一种重要的宽带隙半导体材料，在高温、高频和大功率器件等领域有着巨大的应用潜力。和传统的硅(Si)材料相比，SiC拥有明显的优势，比如，其禁带宽度是Si的3倍，饱和电子漂移速率是Si的2. 5倍，击穿电场是Si的10倍。除了以上优点外，SiC还是众多化合物半导体中唯--种可以自身形成氧化物(SiO2)的化合物半导体，而·SiO2本身又是半导体器件制备工艺中最常用的绝缘介质材料，因而SiC材料可以与传统的Si器件制备工艺相兼容。SiC功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)便是体现上述SiC优越性能的典型器件。传统的Si基MOSFET由于其在较高电压下有着很大的导通电阻，往往无法在大功率领域使用。因而，人们不得不使用Si基绝缘栅门极晶体管(IGBT)来作为耐高压器件。相比之下，SiC由于有着更高的击穿电场，相同耐压下其漂移层的厚度要比Si材料薄很多，因此SiC MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种水平式碳化硅高温氧化装置，该氧化装置包括：石英管嵌套结构及用于对石英管嵌套结构内放置的产品进行高温氧化处理的加热组件，其特征在于：所述的石英管嵌套结构为水平设置的双层石英管嵌套结构，其包括：一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管，其中，该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔，该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装配，令内、外层石英管之间相互隔绝；所述的加热组件为射频加热组件，其包括：贴合固定于外层石英管内壁的保温件、贴合固定于保温件上的加热件及包覆于外层石英管外表面的加热驱动件，其中，加热件与内层石英管外壁形成有一间隙；所述的密封结构中设置有数个连通所述环形...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国胜，董林，王雷，赵万顺，刘兴昉，闫果果，郑柳，
申请(专利权)人：东莞市天域半导体科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：