温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开一种水平式碳化硅高温氧化装置,其包括:水平设置的双层石英管嵌套结构,其包括:一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管,该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔,该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装...该专利属于东莞市天域半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东莞市天域半导体科技有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本实用新型公开一种水平式碳化硅高温氧化装置,其包括:水平设置的双层石英管嵌套结构,其包括:一水平放置的外层石英管及内嵌于外层石英管中的内层石英管,该内、外层石英管之间形成一水平方向的环形空腔,该双层石英管嵌套结构两端分别通过一密封结构固定装...