半导体硅片清洗液及生产方法技术

本发明专利技术公开一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗液及生产方法，由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。生产方法是A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，继续搅拌20分钟。

Semiconductor silicon wafer cleaning liquid and production method thereof

The invention discloses a thorough cleaning and high efficiency semiconductor wafer cleaning liquid and production method, by the A group and B group according to the volume ratio of 1~4:1~4 mixture of raw materials, the A composition and quality are as follows: the percentage of fatty alcohol polyoxyethylene ether 3~10%, disodium EDTA ~5%, 0.5 1~10%, two sulfonated succinate potassium hydroxide dioctyl sodium 0.1~0.5%, diethylene glycol butyl ether 5~15% and water margin; the B group was divided into aqueous solution of chlorine dioxide concentration 0.5~2%. The production method is the A component includes the following steps: first calculate the amount of potassium hydroxide and sodium ethylenediaminetetraacetic acid dissolved in quantitative pure water, and then turn into the calculation of two sodium sulfosuccinate ester and fatty alcohol polyoxyethylene ether, stirring for 15 minutes after adding diethylene glycol butyl ether calculation, continue stirring for 20 minutes.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体电子清洗
，尤其涉及一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗剂及生产方法。
技术介绍
半导体硅片质量的优劣直接关系到终极产品的品质。由于经过切割后的硅片表面附着油污、指纹、金属杂质和粉尘等脏污，为保证半导体硅片质量，需要进行有效的清洗。目前，半导体硅片清洗液主要包含乳化剂、络合剂、有机碱、无机碱、溶剂、分散剂和助剂等成分，对于长碳链油污的处理能力有限，在实际清洗过程中只能延长清洗时间（单槽清洗时间通常大于3分钟）以保证清洗合格率，存在着清洗效率低的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种清洗彻底且效率高的半导体硅片清洗剂及生产方法。本专利技术的技术解决方案是：一种半导体硅片清洗液，其特征在于由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5-15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。最佳配比为：A组分所用原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚7%、乙二胺四乙酸钠盐3%、氢氧化钾5%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.2%、二乙二醇丁醚10%和纯水余量；B组分为质量百分比浓度1%的二氧化氯水溶液； A组分和B组分的体积比为2:1。一种上述半导体硅片清洗液的生产方法，其特征在于所述A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，继续搅拌20分钟。本专利技术原料来源广泛，制备方法简单，各组分相互作用，不但具有较好的乳化、润湿、渗透和稳定性能，而且能够氧化硅片表面的长碳链油污，使难清洗的长碳链油污改性或分解成易清洗的短碳链油污，从而加速清洗进程，具有清洗彻底且效率高的显著特点。具体实施方式实施例1：所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）7%、乙二胺四乙酸钠盐3%、氢氧化钾5%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.2%、二乙二醇丁醚10%和纯水74.8%；B组分为1%二氧化氯水溶液。生产方法如下：A组分按照如下步骤进行：先将计算量的氢氧化钾和乙二胺四乙酸钠盐溶解在定量的纯水中，再依次注入计算量的磺化琥珀酸二辛酯钠盐和脂肪醇聚氧乙烯醚，搅拌速度为200转/分钟搅拌15分钟后添加计算量的二乙二醇丁醚，200转/分钟继续搅拌20分钟；B组分是将计算量的二氧化氯溶于纯水中即可。以实施例1的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例1的清洗液6L，组分A和B体积比例为2:1。清洗时间为2.3分钟，清洗合格率高达99.85%。实施例2：所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）3%、乙二胺四乙酸钠盐5%、氢氧化钾1%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.5%、二乙二醇丁醚5%和纯水85.5%；B组分为2%二氧化氯水溶液。生产方法同实施例1。以实施例2的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例2的清洗液6L，组分A和B体积比例为4:1。清洗时间为2.5分钟，清洗合格率高达99.40%。实施例3：所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5%、氢氧化钾2%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1%、二乙二醇丁醚10%和纯水77.4%；B组分为0.5%二氧化氯水溶液；A组分和B组分的质量比为2:1。生产方法同实施例1。以实施例3的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例3的清洗液6L，组分A和B体积比例为1:4。清洗时间为2分钟，清洗合格率高达99.55%。实施例4：所用原料及质量百分比如下：A组分为脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO-9）4%、乙二胺四乙酸钠盐3%、氢氧化钾10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.2%、二乙二醇丁醚15%和纯水67.8%；B组分为0.5%二氧化氯水溶液；A组分和B组分的质量比为2:1。生产方法同实施例1。以实施例4的清洗液采用加热超声的清洗方式，两槽工艺；单槽的温度设定为55℃，添加实施例4的清洗液6L，组分A和B体积比例为1:1。清洗时间为2.5分钟，清洗合格率高达99.60%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体硅片清洗液，其特征在于由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。

【技术特征摘要】
1.一种半导体硅片清洗液，其特征在于由A组分和B组份按体积比为1~4：1~4混合组成，所述A组分的原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚3~10%、乙二胺四乙酸钠盐0.5~5%、氢氧化钾1~10%、磺化琥珀酸二辛酯钠盐0.1~0.5%、二乙二醇丁醚5~15%和纯水余量；所述B组分为质量百分比浓度0.5~2%的二氧化氯水溶液。2.根据权利要求1所述半导体硅片清洗液，其特征在于A组分所用原料及质量百分比如下：脂肪醇聚氧乙烯醚7%、乙二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨同勇，李文瀚，
申请(专利权)人：三达奥克化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21