一种金刚线切割硅片的清洗方法技术

本发明专利技术涉及切割硅片的后处理技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。该方法如下：经过脱胶后的硅片分别在碱性清洗剂和乳酸中进行粗洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度30～50℃，乳酸的温度为60℃，然后分别在碱性清洗剂和纯水中进行精洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度70～90℃。该清洗方法的根本革新在于：通过对硅片清洗液的pH的提高、以及温度的提高，使得其硅片表面更加干净，表面损伤层去除更大，同时对于硅片的碱制绒工艺起到表面活化作用。这样硅片在制绒时，金字塔绒面的覆盖率较高，绒面比较均一。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１～３道；２）在４０～６０℃水中清洗，该清洗步骤，配制１～３道；３）在６０～８０℃水中清洗，该清洗步骤，配制１～３道；４）硅片烘干，该烘干步骤，配制１～３道。１．一种金刚线切割硅片的清洗方法，其特征是：金刚线切割的硅片首先经过脱胶粗洗处理，然后进行精洗，硅片的脱胶粗洗处理经过多道清洗步骤，分别是：１）在３０～５０℃水中清洗；２）在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的ｐＨ＝９～１０，温度３０～５０℃；３）在３０～５０℃水中清洗；４）在５０～７０℃乳酸中清洗；５）在３０～５０℃水中通过清洗；６）在常温水中清洗；精洗工艺共经过多道清洗步骤和烘干处理，分别是：１）在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的ｐＨ＝９～１...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李毕武，唐传兵，刘振淮，黄振飞，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：发明
国别省市：32