太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法技术

技术编号:6675460 阅读:206 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法,涉及太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法,依次进行以下步骤:a将镀膜片碎料放入氢氟酸液浸泡;b放入盐酸液中浸泡;c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中浸泡;d置于氢氧化钠溶液浸泡;e入超声波清洗槽内进行清洗;f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。本发明专利技术的显著效果是:本处理方法和传统处理方法相比,质量完全符合太阳能硅业的清洁要求,在品质上得到保障,从而实现废料的再利用,增加了原料的可利用率。且经过清洗后,废酸及漂洗液经处理后排放,不会对环境造成污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能硅业
,进一步是。
技术介绍
太阳能硅业中,在做电池片的过程中,硅裸片未能达到标准或人为损坏的破片及边角料,形成了本专利技术所述的镀膜片,通常是搜集后作废料处理。为使废料再利用,传统的是浸泡后用硝酸加氢氟酸混合液进行清洗。这样处理的结果是,清洗后会有残留化合物,不能达到再回炉标准。一方面是原料的紧缺,一方面是镀膜片碎料的未充分利用。因此开发充分利用镀膜片碎料的技术是非常必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种,经过本方法处理后的镀膜片碎料可以与多晶硅裸片相比和使用,从而实现废料的再利用,可有效提高原料的可利用率。本专利技术的目的是通过以下方案实现的,其特征在于依次进行以下步骤a将镀膜片碎料放入氢氟酸液中,浸泡10 - 15小时,漂洗至PH值为中性; b放入盐酸液中,浸泡10 - 15小时,漂洗至PH值为中性;c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中,浸泡10 - 15小时,漂洗至PH值为中性,形成裸片;d将裸片置于腐蚀溶液中,腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为15-55%的溶液,时间为1-5分钟;漂洗到PH值为中性;e入超声波清洗槽内进行清洗,清洗16 - 24分钟; f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。本专利技术还可通过以下方案进一步实现所述的混合液的组成是下列之一 a按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=15-25 60-80 5-15 ;b按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=20-30 :50-70 :15-25 ;c按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=25-35 :40-60 :25-35 ;d 按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=35-45 :30-50 :35_45。所述的腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为20-40%的溶液。所述的超声波的频率是25-40KHz (千赫兹),功率是^00_4800W (瓦)。也可以选用现有常规的用于清洗的其它频率及功率的超声波。所述的清洗时可用室温水,也可用温水,选用温水时,水温选择40-70°C (摄氏度)。所述的优选的超声波频率是40KHz,功率是4800W;清洗用水优选的温度是50-60 "C。所述的超声波清洗选用带有加热器的超声波清洗机进行。所述的超声波清洗机的超声波频率是30 - 40KHz,功率是3500 — 4800W ;加热器功率是 2000 — 3600W。所述的清洗分两次进行,每次8 - 12分钟。所述的烘干时间为1. 8 — 2. 2小时,温度为100 — 140°C。本专利技术中,第一遍浸泡漂洗时,使用氢氟酸液对镀膜片碎料进行处理,目的在于去除表面的膜。第二遍浸泡漂洗时,使用盐酸液的目的是去除涂层。第三遍浸泡漂洗时,使用混合液的目的是去除残留的涂层。第三遍漂洗至PH值为中性后,确认达到浸泡目的,片料基本呈裸片状态。浸泡时液体必须全面覆盖被浸泡的原料,如有条件最好在浸泡过程中能搅拌几次,浸泡后的液一般可用2次才作废液处理。本专利技术各原料均为工业级产品,其中,氢氟酸浓度为40-50% (重量百分比计,下同)、盐酸浓度为31 - 36%,硝酸浓度为50%-70%,氢氧化钠为含量30%工业级产品。氢氟酸、盐酸、硝酸、氢氧化钠可选用其它浓度或含量工业级产品。本专利技术的显著效果是该方法使用方便,经过新工艺处理后的镀膜片碎料可以与多晶硅裸片相比和使用,可以缓解硅原料在紧张时期的缺料现象。本处理方法和传统处理方法相比,质量完全符合太阳能硅业的清洁要求,在品质上得到保障,从而实现废料的再利用,增加了原料的可利用率。且经过清洗后,废酸及漂洗液经排放处理后不会对环境造成污染ο具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案,并使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明。实施例取镀膜片碎料,依次进行以下步骤a将镀膜片碎料放入含量为40%工业级氢氟酸液中浸泡,浸泡时间为12小时,漂洗至 PH值为中性;b放入含量为36%工业级盐酸液浸泡,浸泡时间为12小时,漂洗至PH值为中性; c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中浸泡,浸泡时间为12小时,所述的混合液的组成是按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=20 70 10 ;漂洗至PH值为中性,形成裸片;d将裸片置于腐蚀溶液中,腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为30%的溶液, 时间为3分钟,碱处理完成后漂洗到PH值为中性;e入超声波清洗槽内进行清洗,超声波的频率是40KHz,功率是4800W ;清洗时进行加温,清洗时温度要达到50-60°C为最佳工作状态。可选用加热器进行加温,加热器的功率可选用3600W。清洗20分钟;清洗分两次进行,每次10分钟。f超洗完后脱水放入烘箱内烘干,烘干时间为2小时,温度为120°C。以上所述,仅为本专利技术的具体实施方式,但本专利技术的保护范围并不局限于此,任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.,其特征在于依次进行以下步骤 a将镀膜片碎料放入氢氟酸液中,浸泡10 - 15小时,漂洗至PH值为中性; b放入盐酸液中,浸泡10 - 15小时,漂洗至PH值为中性;c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中,浸泡10 - 15小时,漂洗至PH值为中性,形成裸片;d将裸片置于腐蚀溶液中,腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为15-55%的溶液,时间为1-5分钟;漂洗到PH值为中性;e入超声波清洗槽内进行清洗,清洗16 - 24分钟; f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。2.根据权利要求1所述的,其特征在于混合液的组成是下列之一 a按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=15-25 :60-80 :5_15 ;b按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=20-30 50-70 15-25 ;c按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=25-35 :40-60 25-35 ;d按重量比,硝酸盐酸氢氟酸=35-45 :30-50 :35_45。3.根据权利要求1所述的,其特征在于腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为20-40%的溶液。4.根据权利要求1所述的,其特征在于超声波的频率是25-40KHz,功率是观00-480015.根据权利要求1所述的,其特征在于清洗时用温水,水温选择40-70°C。6.根据权利要求1所述的,其特征在于超声波清洗选用带有加热器的超声波清洗机进行。7.根据权利要求6所述的,其特征在于超声波清洗机的超声波频率是30 - 40KHz,功率是3500 — 4800W ;加热器功率是2000 — 3600W。8.根据权利要求1所述的,其特征在于清洗分两次进行,每次8 — 12分钟。9.根据权利要求1所述的,其特征在于烘干时间为1.8-2.2小时,温度为100 - 1400C 。全文摘要,涉及,依次进行以下步骤a将镀膜片碎料放入氢氟酸液浸泡;b放入盐酸液中浸泡;c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中浸泡;d置于氢氧化钠溶液浸泡;e入超声波清洗槽内进行清洗;f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。本专利技术的显著效果是本处理方法和传统处理方法相比,质量完全符合太阳能硅业的清洁要求,在品质上得到保障,从而实现废料的再利用,增加了原料的可利用率。且经过清洗后,废酸及漂洗液经处理后排放,不会对环境造成污染。文档编号B08B3/12GK102151669SQ本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法,其特征在于依次进行以下步骤:a将镀膜片碎料放入氢氟酸液中,浸泡10-15小时,漂洗至PH值为中性;b放入盐酸液中,浸泡10-15小时,漂洗至PH值为中性;c放入硝酸、盐酸与氢氟酸的混合液中,浸泡10-15小时,漂洗至PH值为中性,形成裸片;d将裸片置于腐蚀溶液中,腐蚀溶液指氢氧化钠加水配制按重量百分比为15-55%的溶液,时间为1-5分钟;漂洗到PH值为中性;e入超声波清洗槽内进行清洗,清洗16-24分钟;f超洗完后脱水放入烘箱内烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:霍立孙志刚贾金有
申请(专利权)人:安阳市凤凰光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:41

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