一种清洗废弃硅材料小方片的方法技术

本发明专利技术提供一种清洗废弃硅材料小方片的方法，包括以下步骤：a)将废弃硅材料小方片浸泡在王水中40h～50h；b)浸泡结束后，用水将小方片冲洗干净；c)使用氢氧化钠溶液对冲洗干净的小方片进行碱洗；d)将碱洗后的小方片用水洗净；e)将洗净的小方片放入稀酸中浸泡，中和碱残留；f)取出小方片，用高纯水清洗，至小方片表面pH为7；g)将小方片脱水烘干。本发明专利技术提供的清洗方法能够有效地清洗小方片表面的薄膜和杂质，小方片的损耗率在5％以内，提高了小方片的质量，使作为半导体报废材料的小方片变废为宝能够运用到光伏行业，降低了硅材料供应对下游企业的压力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种清洗废弃硅材料小方片的方法，其特征在于，包括以下步骤：ａ）将废弃硅材料小方片浸泡在王水中４０ｈ～５０ｈ；ｂ）浸泡结束后，用水将小方片冲洗干净；ｃ）使用氢氧化钠溶液对冲洗干净的小方片进行碱洗；ｄ）将碱洗后的小方片用水洗净；ｅ）将洗净的小方片放入稀酸中浸泡，中和碱残留；ｆ）取出小方片，用高纯水清洗，至小方片表面ｐＨ为７；ｇ）将小方片脱水烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱利峰，王永甫，鲁学伟，
申请(专利权)人：浙江芯能光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：33