一种室温环境中激励硅中非金属原子扩散的方法技术

本发明专利技术公开了一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理，可以激励硅中P、B、As、O、N、F等非金属原子扩散。该方法无需高温，方便快捷，成本低廉，受二次污染的程度远较高温为小，不仅可用于改善硅材料的性能，还可以在硅器件制作完成后，运用该方法改进器件的性能。

Method for stimulating diffusion of non-metal atoms in silicon in room temperature

The invention discloses a method for stimulating atomic diffusion of non-metallic impurities in silicon. At room temperature, inductively coupled plasma (ICP) treatment of silicon materials or silicon devices can stimulate the diffusion of P, B, As, O, N, F and other non-metallic atoms in silicon. This method does not require high temperature, convenient, low cost, by two times the extent of pollution is far lower than the high temperature is small, not only can be used to improve the performance of silicon material, but also in the silicon device fabrication is completed, the application of this method to improve device performance.

【技术实现步骤摘要】
一种室温环境中激励硅中非金属原子扩散的方法
本专利技术涉及硅材料中非金属原子的扩散技术，特别涉及在室温环境下激励硅中非金属原子扩散的方法。
技术介绍
硅材料中不可避免地含有碳、氧、氮等非金属元素。这些非金属杂质对硅材料的器件性质有重要影响，如硅中氧沉淀有内吸杂的作用，会阻碍过渡金属的外扩散；氧-硼复合对的形成，在硅太阳能电池中会与光子结合造成光衰现象，降低电池效率。在硅材料中引入磷、砷等杂质原子，在硅中起浅施主作用，而引入硼等杂质原子，起到浅受主作用。扩散所导致的硅中砷和硼等浓度分布改变，将对硅材料和器件的性能有重要影响。杂质原子在单晶硅中扩散通常需要七、八百甚至上千摄氏度的高温和很长时间，不仅程序复杂成本高昂，而且加热过程中很容易受到来自周围环境的杂质的玷污，对于硅器件来说，高温扩散方法还会导致器件性能严重退化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种简单便捷的在室温而非高温的环境条件下激励硅中非金属杂质原子扩散的方法。本专利技术的技术方案如下：一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法，在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体(InductivelyCoupledPlasm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法，其特征在于，在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体处理。

【技术特征摘要】
1.一种激励硅中非金属杂质原子扩散的方法，其特征在于，在室温环境下，对硅材料或者硅器件进行电感耦合等离子体处理。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行电感耦合等离子体处理的载气为惰性气体，真空度至少为1E-2Pa。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进行电感耦合等离子体处理的载气为氦气。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电感耦合等离子体处理的功率为10～10000W。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦国刚，谢兮兮，侯瑞祥，李磊，徐万劲，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11