TFT背电极电子纸显示模组制造技术

一种TFT背电极电子纸显示模组，包括从上至下依次层叠设置的一离心膜、一上电极基板、一ITO导电膜、一电子墨水层、一胶水层和一底板背电极，所述底板背电极为碳纳米管材料制成的TFT晶体管。其底板背电极采用碳纳米管材料，消除了短沟效应，底板背电极的响应速度快，效率高，通常碳纳米管的电流密度比一般金属要高四个数量级，可以减小集成电路的尺寸，散热效果好，生产工艺简单，这些优越的性能可以促使碳纳米管取代传统半导体硅材料来制作场效应晶体管。

【技术实现步骤摘要】
TFT背电极电子纸显示模组
本技术涉及一种TFT背电极电子纸显示模组。
技术介绍
目前，现有的电子纸模组的底板背电极是由硅材料制作而成，但以硅材料制作的半导体集成电路加工精度已经接近极限尺寸，而且，对于传统的硅材料制作的CMOS晶体管尺寸较大，进一步减小尺寸会由于到达物理学极限而引起诸多问题，如量子涨落和散热等问题，会影响芯片性能的稳定；提高集成度的成本越来越高，市场将难以承受，而且散热效果不好，生产工艺复杂。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种集成电路尺寸小、散热效果好和生产工艺简单的TFT背电极电子纸显示模组。 本技术是这样实现的，一种TFT背电极电子纸显示模组，包括从上至下依次层叠设置的一离心膜、一上电极基板、一 ITO导电膜、一电子墨水层、一胶水层和一底板背电极，所述底板背电极为碳纳米管材料制成的TFT晶体管。 本技术提供的TFT背电极电子纸显示模组，其底板背电极采用碳纳米管材料，与现有技术相比，有以下优点:1、具有与硅材料明显不同的电特征，载流子的传输是一维的，意味着载流子散射的相空间减小，产生弹道传输和使相应功耗降低；2、C原子的所有化学键完整，不需要像硅表面由于存在悬挂键而需化学钝化，这意味着底板背电极不必一定使用二氧化硅作为绝缘体，而是可以使用其他高介质常数和晶体的绝缘体进行三维结构的制作；3、强共价键使碳纳米管具有高的机械和热稳定性和抗电迁移性，目前可以承受高达6A/cm2的电流密度；4、碳纳米管的直径不是由常规工艺制作，而是化学工艺控制；5、有源器件和互连可以分别采用半导体性和金属性碳纳米管来制作。另外，半导体性碳纳米管具有接近自然界材料理论上的最高电子迁移率和机械强度，用碳纳米管做成的晶体管有很多传统晶体管所不能比拟的优点，消除了短沟效应，底板背电极的响应速度快，效率高。通过碳纳米管的电流密度比一般金属要高四个数量级，这些优越的性能可以促使碳纳米管取代传统半导体硅材料来制作场效应晶体管。本技术提供的TFT背电极电子纸显示模组，其底板背电极采用碳纳米管材料，可以减小集成电路的尺寸，散热效果好，生产工艺简单。 【附图说明】 为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1是本技术提供的TFT背电极电子纸显示模组示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。 如图1所示，本技术实施例提供的一种TFT背电极电子纸显示模组，包括从上至下依次层叠设置的一离心膜1、一上电极基板2、一 ITO导电膜3、一电子墨水层4、一胶水层5和一底板背电极6，底板背电极6为碳纳米管材料制成的TFT晶体管。 本技术的工作原理为:首先，在上电极基板2的上表面设置一层离心膜1，离心膜I主要用于保护上电极基板2，起到防尘的作用，还能避免上电极基板2表面被硬物划伤，从而延长TFT背电极电子纸显示模组的使用寿命；然后，在上电极基板2的下表面镀上一层ITO导电膜3，形成ITO上电极，其作用是通电后与底板背电极6形成电场；接着，在ITO导电膜3下设置电子墨水层4，电子墨水层4自身是具有粘附性的悬浮物，可通过涂覆工艺，把电子墨水层4涂覆在ITO导电膜3上；再在电子墨水层4上涂覆一层具有粘连性的胶水层5，便于与底板背电极贴合；最后通过翻盖贴合机将胶水层5与底板背电极6紧密贴合。 TFT背电极电子纸显示模组通电后，ITO上电极与底板背电极6之间形成电压，通过底板背电极6电流大小来控制每个TFT晶体管与ITO上电极形成电压的不同，从而在微观上控制电子墨水层4内的正、负电微粒呈现不同方向和不同程度的转动，TFT背电极电子纸显示模组即可显示不同图形。 本技术提供的TFT背电极电子纸显示模组，其底板背电极6采用碳纳米管材料，与现有技术相比，有以下优点:1、具有与硅材料明显不同的电特征，载流子的传输是一维的，意味着载流子散射的相空间减小，产生弹道传输和使相应功耗降低；2、C原子的所有化学键完整，不需要像硅表面由于存在悬挂键而需化学钝化，这意味着底板背电极5不必一定使用二氧化硅作为绝缘体，而是可以使用其他高介质常数和晶体的绝缘体进行三维结构的制作；3、强共价键使碳纳米管具有高的机械和热稳定性和抗电迁移性，目前可以承受高达6A/cm2的电流密度；4、碳纳米管的直径不是由常规工艺制作，而是化学工艺控制；5、有源器件和互连可以分别采用半导体性和金属性碳纳米管来制作。另外，半导体性碳纳米管具有接近自然界材料理论上的最高电子迁移率和机械强度，用碳纳米管做成的晶体管有很多传统晶体管所不能比拟的优点，消除了短沟效应，底板背电极6的响应速度快，效率高。通过碳纳米管的电流密度比一般金属要高四个数量级，这些优越的性能可以促使碳纳米管取代传统半导体硅材料来制作场效应晶体管。 综上所述，本技术提供的TFT背电极电子纸显示模组，其底板背电极6采用碳纳米管材料，可以减小集成电路的尺寸，散热效果好，生产工艺简单。 以上所述是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT背电极电子纸显示模组，其特征在于，包括从上至下依次层叠设置的一离心膜、一上电极基板、一ITO导电膜、一电子墨水层、一胶水层和一底板背电极，所述底板背电极为碳纳米管材料制成的TFT晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种TFT背电极电子纸显示模组，其特征在于，包括从上至下依次层叠设置的一离心膜、一上电极基板、一...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖承龙，谢杰，
申请(专利权)人：江西合力泰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36