一种极薄柔性电子芯片封装方法及产品技术

本发明专利技术公开了一种极薄柔性电子芯片封装方法，包括以下步骤：(1)在硅片背面旋涂并热固化高分子层，得到柔硅片；(2)将柔硅片贴合在蓝膜上；(3)通过等离子刻蚀与机械划片完成柔硅片在蓝膜上的分离，得到柔芯片；(4)将柔芯片从蓝膜上剥离；(5)利用各向异性导电胶，通过热压完成柔芯片与系统基底的电连接。本发明专利技术实现极薄芯片在柔性电子系统中的封装，利用薄芯片增加柔性，同时又采取特殊工艺手段减少极薄硅片和芯片碎裂的可能。

Very flexible electronic chip packaging method and product

The invention discloses a thin flexible electronic chip packaging method, which comprises the following steps: (1) in silicon spin coating and thermal curing of polymer layer, get soft silicon; (2) will fit in the soft silicon blue film; (3) separating the silicon wafer in soft blue film by plasma etching and mechanical scribing complete, get soft chip; (4) will be stripped from the blue chip soft film; (5) using anisotropic conductive adhesive, connected by hot pressing complete soft chip and substrate electrical system. The invention realizes the encapsulation of the extremely thin chip in the flexible electronic system, uses the thin chip to increase flexibility, and meanwhile takes special technological means to reduce the possibility of extremely thin silicon chips and chip fragmentation.

【技术实现步骤摘要】
一种极薄柔性电子芯片封装方法及产品
本专利技术涉及柔性电子封装
，具体涉及一种极薄柔性电子芯片封装方法及产品。
技术介绍
近年来，由于在可穿戴电子、可延展电子、柔性显示等领域的广泛应用，柔性电子取得了蓬勃的发展。柔性电子特有的可延展性对材料选择、器件设计、加工工艺组织和系统集成提出了新的挑战。一方面，柔性、可延展性意味着系统集成需要在有机高分子材料基底上建立可延展性电气和机械连接，这颠覆了传统的基于坚硬的印刷电路板的集成方案。另外一方面，柔性电子系统中对运算、存储和能耗要求高的器件仍然需要通过传统的基于单晶硅材料的电子制造工艺手段来制作。因而，柔性电子制造要求在充分继承传统电子制造技术优势的基础上实现材料、工艺、器件和生产装备等领域的创新。未来电子器件是柔性系统和传统硅基电子制造技术的结合，构成了柔性混合电子系统。为了减小柔性系统受弯曲载荷时的机械形变，器件的厚度需要减小并且整个器件要被放置在系统的中性面上。即使是基于硅材料的传统电子器件，为了控制材料成本和满足移动互联装置轻小便携的要求，芯片和基底材料都被要求做的越来越薄。目前市场上主要处理器芯片的厚度都在100微米左右，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极薄柔性电子芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅片背面旋涂并热固化高分子层，得到柔硅片；(2)将柔硅片贴合在蓝膜上；(3)通过等离子刻蚀与机械划片完成柔硅片在蓝膜上的分离，得到柔芯片；(4)将柔芯片从蓝膜上剥离；(5)利用各向异性导电胶，通过热压完成柔芯片与系统基底的电连接。

【技术特征摘要】
1.一种极薄柔性电子芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在硅片背面旋涂并热固化高分子层，得到柔硅片；(2)将柔硅片贴合在蓝膜上；(3)通过等离子刻蚀与机械划片完成柔硅片在蓝膜上的分离，得到柔芯片；(4)将柔芯片从蓝膜上剥离；(5)利用各向异性导电胶，通过热压完成柔芯片与系统基底的电连接。2.根据权利要求1所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，所述硅片的厚度为15～30微米，所述高分子层的厚度为20～100微米。3.根据权利要求1所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，所述步骤(3)等离子刻蚀的具体实现方式为：首先刻蚀硅片，反应离子刻蚀的气体采用六氟化硫，射频电源工作频率10～20MHz；电感耦合等离子体的功率200～400W，气压15～30Pa，气体流量30～50sccm，刻蚀时间7～13分钟；接着刻蚀高分子材料层，采用专用机床搭配多刀头钢质材料刀具，刀刃厚度为10～60微米，横向、纵向各切割一次或多次，直至所有芯片之间都被完全分割，切割深度比高分子材料层厚度大5～20微米。4.根据权利要求3所述的柔性电子芯片封装方法，其特征在于，所述硅片厚度20～30微米，高分子层厚度20～30微米；刻蚀硅片过程中，气体采用六氟化硫，射频电源工作频率12～...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴豪，郭伟，黄鑫，冯元宵，
申请(专利权)人：武汉华威科智能技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42