一种TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法技术

本发明专利技术提供了一种TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法，封装结构包括盖设于TFT表面的第一保护层，设于第一保护层外的第二保护层，以及设于第二保护层外的疏水层；疏水层为一层或者多层结构；疏水层的材质为有机光阻材料；疏水层利用有机光阻材料经过等离子处理之后形成；第一保护层和第二保护层的材质为绝缘材料。相对于现有技术，本发明专利技术提供的TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法，通过在TFT保护层外表面上制作有有机光阻层，然后用等离子体处理该有机光阻材料，进而得到疏水层，由于疏水层不吸附水汽，具有阻隔水汽侵入的作用，从而达到保护TFT性能稳定的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器封装结构的
，具体是涉及一种TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法。
技术介绍
氧化物半导体(如IGZO，indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物的缩写)，等等)TFT存在的问题，如图1所示，图1为现有技术中一种TFT封装结构的示意图。氧化物半导体TFT，容易吸收环境中的水汽，造成TFT性能变异。常使用保护层3来隔绝水汽555，保护层3可以是无机材料，或有机材料。但水汽会吸附在保护层3表面，极有可能穿透保护层3，侵入到TFT结构单元2处，进而影响到TFT的性能。其中，图中标注1为玻璃基板。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法，以解决现有技术中TFT封装结构容易使环境中的水汽侵入，进而影响TFT性能的技术问题。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种具有疏水层的TFT封装结构，所述封装结构包括盖设于TFT表面的第一保护层，设于所述第一保护层外的第二保护层，以及设于所述第二保护层外的疏水层。根据本专利技术一优选实施例，所述疏水层为一层或者多层结构。根据本专利技术一优选实施例，所述疏水层的材质为有机光阻材料。根据本专利技术一优选实施例，所述疏水层利用有机光阻材料经过等离子处理之后形成。根据本专利技术一优选实施例，所述第一保护层和所述第二保护层的材质为绝缘材料。为解决上述技术问题，本专利技术还一种具有疏水层的TFT封装方法，所述封装方法包括：在TFT表面形成第一保护层；在所述第一保护层的外表面形成第二保护层；在所述第二保护层的外表面形成疏水层。根据本专利技术一优选实施例，所述疏水层为一层或者多层结构。根据本专利技术一优选实施例，所述疏水层的材质为有机光阻材料。根据本专利技术一优选实施例，所述疏水层利用有机光阻材料经过等离子处理之后形成。进一步地，本专利技术提供一种TFT液晶显示模组，所述TFT液晶显示模组中的TFT结构单元利用上述实施例中所述的封装方法封装而成。相对于现有技术，本专利技术提供的TFT液晶显示模组及其封装结构和封装方法，通过在TFT保护层外表面上制作有疏水层，由于疏水层不吸附水汽，具有阻隔水汽侵入的作用，从而达到保护TFT性能稳定的目的。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术中一种TFT封装结构示意图；图2是本专利技术具有疏水层的TFT封装结构一优选实施例的结构示意图；图3是本专利技术具有疏水层的TFT封装方法一优选实施例的流程示意图；图4是图3实施例TFT封装方法中制作第一、第二保护层的结构示意图；以及图5是图3实施例TFT封装方法中制作疏水层的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本专利技术，但不对本专利技术的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本专利技术的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图2，图2是本专利技术具有疏水层的TFT封装结构一优选实施例的结构示意图；其中，该封装结构包括但不限于以下结构单元：基板100、TFT结构单元200、第一保护层300、第二保护层400以及疏水层500。具体而言，该TFT结构单元200设在基板100上，其中，TFT结构单元200进一步包括栅极210、半导体层220、源极230、漏极240以及金属氧化物层250等，关于TFT结构单元200的详细结构特征，在本领域技术人员能够理解的范围之内，此处不再赘述。第一保护层300作为钝化层盖设于TFT结构单元200的外表面，其中，该第一保护层300为绝缘材料制成，优选地为PVC(Polyvinylchloride，聚氯乙烯)。第一保护层300可以为一层或者多层的结构形式设置。第二保护层400作为平坦层盖设于第一保护层300的外表面，其中，该第二保护层400为绝缘材料制成，也优选地为PVC(Polyvinylchloride，聚氯乙烯)。而且第二保护层400也可以为一层或者多层的结构形式设置。为了进一步加强TFT的防水效果，在第二保护层400的外表面还设有疏水层500。同样的，疏水层500也可以为一层或者多层的结构形式设置，优选地，该疏水层500的材质为有机光阻材料，并且有机光阻材料经过等离子气体处理之后形成最终的疏水层结构。其中，采用的等离子气体可以为四氟甲烷或者六氟化硫等。相对于现有技术，本专利技术提供的TFT封装结构，通过在TFT保护层外表面上制作有有机光阻层，然后用等离子体处理该有机光阻材料，进而得到疏水层，由于疏水层不吸附水汽，具有阻隔水汽侵入的作用，从而达到保护TFT性能稳定的目的。进一步地，本专利技术实施例还提供一种具有疏水层的TFT封装方法，请参阅图3，图3是本专利技术具有疏水层的TFT封装方法一优选实施例的流程示意图，该封装方法包括但不限于以下步骤。步骤S100，在TFT表面形成第一保护层。请参阅图4，图4是图3实施例TFT封装方法中制作第一、第二保护层的结构示意图，在步骤S100中，首先需要将TFT结构单元200设置在基板100上，其中，TFT结构单元200进一步包括栅极210、半导体层220、源极230、漏极240以及金属氧化物层250等，关于TFT结构单元200的详细结构特征，在本领域技术人员能够理解的范围之内，此处不再赘述。第一保护层300盖设于TFT结构单元200的外表面，其中，该第一保护层300为绝缘材料制成，优选地为PVC(Polyvinylchloride，聚氯乙烯)。第一保护层300可以为一层或者多层的结构形式设置。步骤S110，在第一保护层的外表面形成第二保护层。在步骤S110中，第二保护层400盖设于第一保护层300的外表面，其中，该第二保护层400为绝缘材料制成，也优选地为PVC(Polyvinylchloride，聚氯乙烯)。而且第二保护层400也可以为一层或者多层的结构形式设置。步骤S120，在第二保护层的外表面形成疏水层。为了进一步加强TFT的防水效果，在第二保护层400的外表面还本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有疏水层的TFT封装结构，其特征在于，所述封装结构包括盖设于TFT表面的第一保护层，设于所述第一保护层外的第二保护层，以及设于所述第二保护层外的疏水层。

【技术特征摘要】
1.一种具有疏水层的TFT封装结构，其特征在于，所述封装结构
包括盖设于TFT表面的第一保护层，设于所述第一保护层外的第二保护
层，以及设于所述第二保护层外的疏水层。
2.根据权利要求1所述的TFT封装结构，其特征在于，所述疏水
层为一层或者多层结构。
3.根据权利要求1所述的TFT封装结构，其特征在于，所述疏水
层的材质为有机光阻材料。
4.根据权利要求3所述的TFT封装结构，其特征在于，所述疏水
层利用有机光阻材料经过等离子处理之后形成。
5.根据权利要求1所述的TFT封装结构，其特征在于，所述第一
保护层和所述第二保护层的材质为绝缘材料。
6.一种具有疏水层的T...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文辉，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44