【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体。随着大规模集成电路的迅速发展,对硅片的质量要求也越来越高,硅材料的机械强度直接影响到硅片和集成电路的制造成品率。硅材料机械强度高,则硅片在切片、磨片和抛光加工过程中的碎片率低,同时,硅片容忍热应力的能力大,可阻止硅片翘曲,提高集成电路成品率,降低生产成本。但至今还未有专门测试硅材料机械强度的方法,由于硅材料是脆性材料,目前采取套用脆性材料机械强度测试的通用方法,如三点弯法,高温拉伸法等,但这些方法需要设备复杂,制样困难,实验数据分散,同时不能从微观角度精确了解硅晶体中杂质对材料机械强度的影响。鉴于上述,本专利技术的目的是提供一种,它简便易行。本专利技术的方法是以测量硅材料的位错滑移长度来确定其机械强度的,依次包括如下步骤1、将从硅材料上割取的试样硅片进行抛光,除去表面损伤层;2、用硬度计压头在硅片表面制造压痕,压痕四周引入位错;3、在保护气中对硅片进行热处理,使位错发生滑移;4、冷却硅片,用化学腐蚀液腐蚀,显示位错的滑移;5、测量位错滑移长度。试验表明,硅片上的位错滑移长度与压力无关,硬度计压头施于硅片的压力以使硅片上能产生位错,不破粹 ...
【技术保护点】
硅材料机械强度的测试方法,其特征是以测量位错滑移长度确定机械强度,该方法依次包括如下步骤:1)将从硅材料上割取的试样硅片进行抛光,除去表面损伤层;2)用硬度计压头在硅片表面制造压痕,压痕四周引入位错;3)在保护气中对硅片进行热处 理,使位错发生滑移;4)冷却硅片,用化学腐蚀液腐蚀,显示位错滑移;5)测量位错滑移长度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:杨德仁,李东升,李立本,阙端麟,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]
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