【技术实现步骤摘要】
本专利技术与硅园片的加强材料有关。一种电荷耦合器件(CCD)由加工过的硅晶片组成，这种硅晶片，采用常规MOS(金属氧化物半导体)工艺，在晶片的上表面(通过此面加工晶片)的正下方形成隐埋沟道。沟道由一线性排列的相同基本区构成，而每一区都具有一个轮廓分明的、包含几个，例如三个，控制电势深度的电势电平的电势分布。时钟电极结构覆盖晶片的上表面，用选定的电势加到时钟电极结构，则出现在给定基本区的电荷，按移位寄存器的方式，可以经由线性排列的基本前行，也可以从输出电极处的沟道抽出。可以在输入电极处的沟道，亦即在输出电极沟道的相对末端处的沟道将电荷引进，或者可以用光电方法产生电荷。因此，如果电磁辐射投射到沟道层下方的衬底，它可以产生导电电子，而这些导电电子可以进入沟道层，而在较高电势的两个区域之间确定的势阱里变成陷阱。导电电子的扩散长度很短，以改在衬底里产生的导电电子以扩散方式运动时，不能超越紧靠覆盖在产生导电电子的衬底区的基本沟道区。CCD可以用多元的平行隐埋沟道构成。这样一种多沟道CCD的一种应用，是采用光电方法产生导电电子，把它作为固体成像器或光电转换器使用。在其中制造CC...
【技术保护点】
一种加强硅体的方法，其特征在于包括在硅体的表面加上一层呈精细分开状态的由至少约４０％重量的硅石组成的镀层，而且将此镀层材料加工成一层粘附在硅体上的紧固的机械支承物。
【技术特征摘要】
US 1985-5-31 740,102所明确规定，只要不脱离本发明的范围，可以对其中的有关部分作出变化。权利要求1.一种加强硅体的方法，其特征在于包括在硅体的表面加上一层呈精细分开状态的由至少约40%重量的硅石组成的镀层，而且将此镀层材料加工成一层粘附在硅体上的坚固的机械支承物。2.按权利要求1的方法，其特征在于上述材料是硼硅玻璃，加工的镀层由熔融的玻璃组成。3.一种加强某一给定物体的方法，其特征在于包含一层作为组成部分的镀层材料，上述给定材料的重量至少约占18%，将此材料加至呈精细分开形状的物体的表面上，并将它加工成一层粘附在上述表面的坚固的机械支承物。4.按权利要求3的方法，其特征在于上述给定材料是硅，而镀层材料是以硅为基底的材料。5.按权利要求4的方法，其特征在于镀层材料是硼硅玻璃，而加工镀层材料的方法包含将该玻璃烘烤。6.一种固态材料物体，不必介入焊接剂，而以直接粘连接触方式附连到硅的表面，一种材料制成的机械支承镀层，它是可熔的材料，而其作为组成部分，上述给定材料的重量至少约占40%。7.一种按权利要求6的物体，其特征在于上述固态材料是硅，而镀层材料是硼硅玻璃。8.一种减薄某一给定材料的...
【专利技术属性】
技术研发人员：布赖恩李科里，
申请(专利权)人：科学成象技术有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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