光电导膜制造技术

本发明专利技术披露了有关光电导型摄象管靶的光电导膜的一种结构．此类光电导膜主要由Ｓｅ制成并在其中央部分掺杂Ｔｅ而形成．除此，将据认为可以形成俘获Ｓｅ中电子的深陷阱能级之Ａｓ，以及通过俘获Ｓｅ中的电子形成负空间电荷的ＧａＦ－［８］等可添加到存在有Ｔｅ的区域．另外，于存在有ＧａＦ－［８］等的区域中选定了较以往所用的为薄的膜层厚度（不小于２０埃且不大于９０埃）．（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术的主题是用于光电导摄象管靶的一种光电导膜的结构，尤其是针对这样一种光电导膜，它在摄象管刚刚接通后，在整流接触型的光电导膜之各种光响应性质中，都能减少灵敏度的偏移。如所周知，无定形Se显示有光电导性，而将此种无定性Se同一种n型传导的信号电极相组合，就能制造出整流接触型光电导膜。此时，由于Se不具备对长波长光的敏感性质，就采取了在Se膜的一部分中加入Te的方法，以提高此种灵敏性〔美国专利3890525与4040985;日本特许公告1083551(发布号昭56-6628)〕。另一方面，为了减少强光的余象，又采用了一种在Se膜的一部分中掺加GaF3、MoO3、In2O3等的方法(美国专利4463279)。图1示意了按照某种传统工艺制成的上述靶子的一种主要结构，参考数字1指一种透明衬底;2为一种透明电极;3为P型光电导体的光敏部分;4为用作减少靶子存储电容的一种P型光电导膜层;而5为支持电子束到达靶子的辅助层。光敏部分3由Se、As、Te与GaF3组成;p型光电导膜4由Se和As组成;而电子束到达靶子的辅助层5则由Sb2S3组成。图2例示了图1中光敏部分3膜厚方向上的组份分配。在这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主要由Ｓｅ组成的且在光电导层厚度方向上的一部分中掺杂有碲使其敏化的光电导膜，其特征为，在至少一部分添加有所说的碲的区域和至少一部分与上述添加有所说的碲的区域相邻近的那部分区域这两者之一中或者在所说的两部分区域中，含有至少一种这样的物质，该物质选自由能在硒中形成负空间电荷的氧化物和氟化物以及属于第Ⅱ、Ⅲ或Ⅶ族的且能在硒中形成负空间电荷的元素所组成的一组物质中，其浓度按重量百分数的平均值计算，不小于１０ｐｐｍ而不大于１％，并且，所选的包含能在硒中形成负空间电荷的掺杂物的膜厚应不小于２０埃且不大于９０埃。

【技术特征摘要】
1.一种主要由Se组成的且在光电导层厚度方向上的一部分中掺杂有碲使其敏化的光电导膜，其特征为，在至少一部分添加有所说的碲的区域和至少一部分与上述添加有所说的碲的区域相邻近的那部分区域这两者之一中或者在所说的两部分区域中，含有至少一种这样的物质，该物质选自由能在硒中形成负空间电荷的氧化物和氟化物以及属于第Ⅱ、Ⅲ或Ⅶ族的且能在硒中形成负空间电荷的元素所组成的一组物质中，其浓度按重量百分数的平均值计算，不小于10ppm而不大于1%，并且，所选的包含能在硒中形成负空间电荷的掺杂物的膜厚应不小于20埃且不大于90埃。2.按照权项1所述的光电导膜，其中，在硒内形成负空间电荷的前述氧化物至少是选自CuO、In3O3、SeO3、V2O5、MoO3和Wo3所成之组中的一种，而在硒中形成负空间电荷的前述氟化物，则至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷冈健吉，设乐圭一，栗山孝夫，高崎幸男，平井忠明，野中育光，井上荣典，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，日本放送协会，
类型：发明
国别省市：JP[日本]