一种制作黑硅材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用波长为１０６４ｎｍ和５３２ｎｍ两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤１：将硅片置于硫系物质环境中；步骤２：利用经过透镜聚焦的波长为１０６４ｎｍ和５３２ｎｍ的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。本发明专利技术将长波光源作用深度深、短波光源作用深度浅的特点同时融入黑硅材料的制作中，拓展了硫系掺杂物和硅微锥、微粒和微洞在表面层的范围，所以能够更充分地吸收入射光，将全太阳光谱的吸收系数提高到９０％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体光电子材料
，特别涉及一种利用波长为1064nm和 532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法。
技术介绍
近年来，基于高强度激光辐照的材料表面加工技术受到了广泛的关注。美国哈佛 大学的研究者用高强度飞秒激光器光源扫描硅表面，得到了尺寸精细的金字塔锥形微结构 新材料，即所谓的黑硅材料。黑硅材料的光吸收效率显著提高(MRS Belletin，31(2006)594)。尤其当将硅片 置于硫系气体如SF6，H2S等环境下时，激光器光源扫描后得到的黑硅材料，在250 2500nm 的光谱范围内对光的吸收效率达到近90% (Appl. Phys. Lett. , 13 (2001) 1850) 0将该种材 料应用于器件制作可以大幅度提高相关硅基光电器件的性能。例如，利用该种材料制作的 硅基光电二极管，器件lOOOnm波长上的响应度达到120A/W，比普通商用硅基光电二极管高 两个数量级，在1330nm和1550nm波长上的响应度分别为50mA/W和35mA/W，比普通商用硅 基光电二极管高五个数量级(OpticsLetters，30 (2005) 1773)。目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用波长为１０６４ｎｍ和５３２ｎｍ两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，其特征在于，该方法包括：　　步骤１：将硅片置于硫系物质环境中；　　步骤２：利用经过透镜聚焦的波长为１０６４ｎｍ和５３２ｎｍ的两种激光器光源，先后扫描辐照硅片表面，形成包含硅微锥、硅微粒和硅微洞的微结构黑硅材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱洪亮，梁松，韩培德，林学春，王宝华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]